[發(fā)明專利]功率模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380067852.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104885207B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大橋東洋;長(zhǎng)友義幸;長(zhǎng)瀬敏之;黑光祥郎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱綜合材料株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/52 | 分類號(hào): | H01L21/52;B23K35/26;C22C13/00 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 模塊 | ||
本發(fā)明的功率模塊中,在電路層(12)中的與半導(dǎo)體元件(3)的接合面設(shè)置有由銅或銅合金構(gòu)成的銅層,且在電路層(12)與半導(dǎo)體元件(3)之間形成有使用焊錫材料形成的焊錫層(20)。在焊錫層(20)中的與電路層(12)之間的界面形成有合金層(21),該合金層(21)作為主成分含有Sn,并且含有0.5質(zhì)量%以上10質(zhì)量%以下的Ni和30質(zhì)量%以上40質(zhì)量%以下的Cu,該合金層(21)的厚度設(shè)定在2μm以上20μm以下的范圍內(nèi),在功率循環(huán)試驗(yàn)中,在通電時(shí)間5秒、溫度差80℃的條件下負(fù)載10萬(wàn)次功率循環(huán)時(shí)的熱阻上升率低于10%。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種使用焊錫材料將設(shè)置有銅或銅合金所構(gòu)成的銅層的電路層和半導(dǎo)體元件進(jìn)行接合的功率模塊。
本申請(qǐng)主張基于2012年12月25日于日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2012-281346號(hào)的優(yōu)先權(quán),并將其內(nèi)容援用于此。
背景技術(shù)
例如,如專利文獻(xiàn)1、2所示,上述功率模塊具備在絕緣基板的一個(gè)面接合作為電路層的金屬板而構(gòu)成的功率模塊用基板和搭載于電路層上的功率元件(半導(dǎo)體元件)。
并且,功率模塊用基板的另一面?zhèn)扔袝r(shí)配設(shè)有散熱板或冷卻器等散熱器,以發(fā)散來(lái)自功率元件(半導(dǎo)體元件)的熱量。此時(shí),為了緩和由絕緣基板與散熱板或冷卻器等散熱器之間的熱膨脹系數(shù)引起的熱應(yīng)力,在功率模塊用基板上,設(shè)為在絕緣基板的另一面接合有作為金屬層的金屬板,且該金屬層與上述散熱板或冷卻器等散熱器接合的結(jié)構(gòu)。
上述功率模塊中,電路層與功率元件(半導(dǎo)體元件)隔著焊錫材料接合。
在此,電路層由鋁或鋁合金構(gòu)成時(shí),例如如專利文獻(xiàn)3中所公開(kāi),需在電路層的表面通過(guò)電解電鍍等而形成Ni鍍膜,且在該Ni鍍膜上配設(shè)焊錫材料而接合半導(dǎo)體元件。
并且,在電路層由銅或銅合金構(gòu)成時(shí),同樣在電路層的表面形成Ni鍍膜,且在該Ni鍍膜上配設(shè)焊錫材料而接合半導(dǎo)體元件。
專利文獻(xiàn)1:日本專利公開(kāi)2002-076551號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本專利公開(kāi)2008-227336號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本專利公開(kāi)2004-172378號(hào)公報(bào)
然而,例如如專利文獻(xiàn)3中所記載,若對(duì)在由鋁或鋁合金構(gòu)成的電路層的表面形成Ni鍍層而焊錫接合半導(dǎo)體元件的功率模塊施加功率循環(huán)的負(fù)載,則可能會(huì)在焊錫上產(chǎn)生龜裂,熱阻會(huì)上升。
并且,即使在由銅或銅合金構(gòu)成的電路層的表面形成Ni鍍層而焊錫接合半導(dǎo)體元件的功率模塊中,若施加功率循環(huán)的負(fù)載,則同樣可能會(huì)在焊錫上產(chǎn)生龜裂,熱阻會(huì)上升。
近年來(lái),在上述功率模塊等中,為了控制風(fēng)力發(fā)電或電動(dòng)汽車和電動(dòng)車輛等而搭載用于控制更大功率的功率元件,因此比以往更加需要進(jìn)一步提高功率循環(huán)的可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的,其目的在于提供一種即使在負(fù)載有功率循環(huán)時(shí),也能夠抑制在焊錫層產(chǎn)生破壞,且可靠性較高的功率模塊。
本發(fā)明人等進(jìn)行深入研究的結(jié)果得知若對(duì)在由鋁、鋁合金、銅或銅合金構(gòu)成的電路層的表面形成Ni鍍層而焊錫接合半導(dǎo)體元件的功率模塊施加功率循環(huán)負(fù)載,則在Ni鍍層產(chǎn)生裂縫,且以該裂縫為起點(diǎn)在焊錫層上產(chǎn)生龜裂。并且,還得知通過(guò)在焊錫層與電路層之間的界面形成包含Ni、Cu的Sn合金層,焊錫層與電路層之間的界面得到強(qiáng)化,并能夠提高焊錫層的耐久性。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





