[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201380067846.0
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN104885230A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: 山崎舜平;三宅博之;宍戶英明;片山雅博;岡崎健一
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種半導體裝置，包括：

晶體管，該晶體管包括：

第一絕緣膜；

在所述第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；以及

與所述氧化物半導體膜相鄰的柵電極；

電容器，該電容器包括：

在所述第一絕緣膜上的第一透光導電膜；

在所述第一透光導電膜上的氮化絕緣膜；以及

在所述氮化絕緣膜上的第二透光導電膜；以及

在所述氧化物半導體膜、所述柵電極以及所述第一透光導電膜上的氧化絕緣膜，

其中，所述第二透光導電膜電連接到所述氧化物半導體膜，并且

其中，所述氮化絕緣膜位于所述氧化絕緣膜上并與所述第一透光導電膜接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜包含In-Ga-Zn氧化物。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一透光導電膜包含In-Ga-Zn氧化物。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜和所述第一透光導電膜中的每一個與所述第一絕緣膜的頂面接觸。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述第二透光導電膜通過所述氧化絕緣膜的開口及所述氮化絕緣膜的開口而電連接到所述氧化物半導體膜，并且

其中所述氧化絕緣膜的開口的寬度大于所述氮化絕緣膜的開口的寬度。

6.一種半導體裝置，包括：

晶體管，該晶體管包括：

柵電極；

在所述柵電極上的絕緣膜；在所述絕緣膜上的氧化物半導體膜；以及

與所述氧化物半導體膜接觸的一對電極；

電容器，該電容器包括：

在所述絕緣膜上的第一透光導電膜；

在所述第一透光導電膜上的介電膜；以及

在所述介電膜上的第二透光導電膜；

在所述晶體管的一對電極上的氧化絕緣膜；以及

在所述氧化絕緣膜上的氮化絕緣膜，

其中，包括在所述電容器中的所述介電膜是所述氮化絕緣膜，

其中，所述氧化絕緣膜具有在所述一對電極之一及所述第一透光導電膜中的每一個之上的第一開口，

其中，所述氮化絕緣膜具有在所述一對電極之一上的第二開口，

其中，在所述一對電極之一上與所述第一開口相比所述第二開口是在內側，并且

其中，在所述一對電極之一上的所述第二開口中，包括在所述電容器中的所述第二透光導電膜與包括在所述晶體管中的所述一對電極之一連接。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，

其中所述氧化物半導體膜和所述第一透光導電膜分別包括微晶區域，并且

其中在所述微晶區域中，在利用測量區域為10nmφ以下的電子衍射的電子衍射圖案中觀察到配置為圓周狀的斑點，且在利用測量區域為300nmφ以上的電子衍射的電子衍射圖案中觀察不到配置為圓周狀的斑點。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜和所述第一透光導電膜都包含銦或鋅。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，還包括：

在絕緣表面上的第一導電膜；

在所述絕緣膜上的第二導電膜；以及

在所述氮化絕緣膜上的使所述第一導電膜和所述第二導電膜連接的第三透光導電膜，

其中所述柵電極設置在所述絕緣表面上，

所述氧化絕緣膜包括在所述第一導電膜上的第三開口，

所述氮化絕緣膜包括在所述第一導電膜上的第四開口，

與所述第三開口相比所述第四開口是在內側，并且

所述第一導電膜在所述第四開口中與所述第三透光導電膜連接。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，

其中通過與所述柵電極相同的處理來形成所述第一導電膜，

其中通過與所述一對電極相同的處理來形成所述第二導電膜，并且

其中通過與所述第二透光導電膜相同的處理來形成所述第三透光導電膜。

11.根據權利要求6所述的半導體裝置，還包括形成在與形成有所述柵電極的表面相同的表面上的電容線，

其中所述第一透光導電膜與所述電容線接觸。