[發(fā)明專利]耐等離子性構件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380067799.X
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN104884409A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發(fā)明（設計）人: 巖澤順一;青島利裕
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: C04B35/50
• 分類號: C04B35/50;C04B41/87
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;王玉玲

1.一種耐等離子性構件，其特征在于，具備：

基材；

及層狀結構物，形成于所述基材的表面，包含氧化釔多結晶體且具有耐等離子性，

所述層狀結構物具有：

第1凹凸結構；

及第2凹凸結構，在所述第1凹凸結構上重疊而形成，具有與所述第1凹凸結構相比更細微的凹凸。

2.根據(jù)權利要求1所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述第1凹凸結構在所述層狀結構物的表面的一部分上形成，且具有結晶粒子的集團脫落的空隙，

所述第2凹凸結構在所述層狀結構物的表面的整體上形成，且具有所述結晶粒子的大小細微的凹凸。

3.根據(jù)權利要求1所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述層狀結構物的表面的算術平均Sa為0.025μm以上0.075μm以下，

由所述層狀結構物的表面的負荷曲線求出的中心部的實體體積Vmc為0.03μm³/μm²以上0.08μm³/μm²以下，

由所述層狀結構物的表面的負荷曲線求出的中心部的中空體積Vvc為0.03μm³/μm²以上0.1μm³/μm²以下，

所述層狀結構物的表面的界面的展開面積率Sdr為3以上28以下。

4.根據(jù)權利要求1所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述第1凹凸結構及所述第2凹凸結構是通過實施化學處理形成的。

5.根據(jù)權利要求1所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述層狀結構物具有所述氧化釔多結晶體的疏密結構。

6.根據(jù)權利要求5所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述疏密結構之中的疏的部分從所述層狀結構物表面的層朝向與所述表面的層相比更深的層變小。

7.根據(jù)權利要求5所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述疏密結構在密的部分中三維地分布有密度與所述密的部分的密度相比更小的疏的部分。

8.根據(jù)權利要求1所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述層狀結構物是通過氣溶膠沉積法形成的。

9.一種耐等離子性構件，其特征在于，具備：

基材；

及層狀結構物，形成于所述基材的表面，包含氧化釔多結晶體且具有耐等離子性，

在平面分析中的截止為0.8μm的情況下，

所述層狀結構物的表面的算術平均Sa為0.010μm以上0.035μm以下，

由所述層狀結構物的表面的負荷曲線求出的中心部的實體體積Vmc為0.01μm³/μm²以上0.035μm³/μm²以下，

由所述層狀結構物的表面的負荷曲線求出的中心部的中空體積Vvc為0.012μm³/μm²以上0.05μm³/μm²以下，

所述層狀結構物的表面的界面的展開面積率Sdr為1以上17以下，

所述層狀結構物的表面的均方根斜率SΔq為0.15以上0.6以下。

10.根據(jù)權利要求9所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述層狀結構物具有所述氧化釔多結晶體的疏密結構。

11.根據(jù)權利要求10所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述疏密結構之中的疏的部分從所述層狀結構物表面的層朝向與所述表面的層相比更深的層變小。

12.根據(jù)權利要求10所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述疏密結構在密的部分中三維地分布有密度與所述密的部分的密度相比更小的疏的部分。

13.根據(jù)權利要求9所述的耐等離子性構件，其特征在于，

所述層狀結構物是通過氣溶膠沉積法形成的。