[發明專利]數據存儲系統的自適應錯誤糾正碼

有效

• 申請號: 201380067610.7
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN104871249B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: G·陸
• 申請（專利權）人: 西部數據技術公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C16/34
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

本發明公開了一種被配置為自適應地編碼數據的數據存儲系統，在一個實施例中，數據存儲系統控制器確定非易失性存儲器陣列的共同的存儲器頁大小，例如，E頁大小。基于所述共同的存儲器頁大小，所述控制器從多個預定義的低密度奇偶校驗(LDPC)碼字長中選擇LDPC碼字長。所述控制器基于所選擇的LDPC碼字長來確定用于對寫入到所述存儲器陣列的數據或從所述存儲器陣列讀取的數據進行編碼的LDPC編碼參數。通過使用所述多個預定義的LDPC碼字長，所述數據存儲系統能夠支持多個非易失性存儲器頁格式，包括這樣的存儲器頁格式：其中所述共同的存儲器頁大小不等于所述多個預定義的LDPC碼字長中的任何LDPC碼字長。從而能夠獲得數據編碼的靈活性和高效性。

技術領域

本公開涉及計算機系統的諸如固態硬盤等的數據存儲系統。更具體地，本公開涉及數據存儲系統的自適應錯誤糾正碼。

背景技術

非易失性存儲器陣列常常具有有限的耐久性。存儲器陣列的耐久性通常視使用模式和磨損而定。另外，耐久性取決于非易失性存儲器陣列的特定類型。例如，與具有單層單元(SLC)NAND介質的存儲器陣列相比，具有多層單元(MLC)NAND介質的存儲器陣列通常具有較低的耐久性。為了保護存儲到存儲器陣列的用戶數據免于可能由減少的耐久性而導致的訛誤，能夠確定奇偶校驗數據并且將奇偶校驗數據與用戶數據一起存儲以便于錯誤檢測和/或錯誤糾正。

附圖說明

現在參考下面的附圖對實施本發明的各種特征的系統和方法進行描述，其中：

圖1示出了根據本發明的一個實施例的自適應地編碼數據的存儲系統。

圖2是示出了根據本發明的一個實施例的確定用于編碼數據的編碼參數的過程的流程圖。

圖3是示出了根據本發明的一個實施例的低密度奇偶校驗(LDPC)編碼參數與LDPC碼字長之間關系的表。

圖4A-4C是示出了根據本發明的一個實施例的已填充用戶數據和奇偶校驗數據的圖。

圖5是示出了根據本發明的一個實施例的自適應碼縮短的過程的流程圖。

圖6是示出了根據本發明的一個實施例的調整碼率的過程的流程圖。

具體實施方式

盡管描述了某些實施例，但是這些實施例僅以示例的方式給出，而不是要限制保護范圍。實際上，本文所描述的新穎方法和系統可以以多種其他形式來實施。而且，可以進行本文所描述的方法和系統的形式上的各種省略、替換和改變，而不會脫離保護范圍。

在一些實施例中，本公開中所使用的“編碼”數據指的是編碼數據的過程和/或解碼數據的過程。

概述

諸如固態硬盤等的存儲系統通常包括與非易失性存儲器陣列耦合的一個或多個控制器。通常，這些控制器由一方設計/制造而非易失性存儲器陣列由另一方設計/制造。另外，來自不同制造商的存儲器陣列往往具有不同的內部格式，包括不同的存儲器頁格式，其中每個存儲器頁格式對應于多個存儲器頁大小中的一個。而且，由于成本和多種其他競爭原因，存儲系統制造商通常使用來自不同的制造商的存儲器陣列。例如，存儲系統制造商可能在當前生產周期中使用一種品牌的存儲器陣列，而在下一個生產周期中使用另一種品牌的存儲器陣列。此外，對于標價在不同的水平的不同的存儲系統型號可以使用不同的存儲器陣列。