[發(fā)明專利]在有機(jī)光伏器件的沉積后加工期間使用反向準(zhǔn)外延來修改有序性在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380067596.0 | 申請日: | 2013-11-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104919615A | 公開(公告)日: | 2015-09-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 斯蒂芬·R·弗里斯特;杰拉米·D·齊默爾曼;布賴恩·E·拉希特;肖新 | 申請(專利權(quán))人: | 密歇根大學(xué)董事會(huì) |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 楊青;穆德駿 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 器件 沉積 加工 期間 使用 反向 外延 修改 有序性 | ||
1.一種用于制造有機(jī)光伏器件的方法,所述方法包括:
將無定形有機(jī)層和結(jié)晶有機(jī)層沉積在第一電極上,其中所述無定形有機(jī)層與所述結(jié)晶有機(jī)層在界面處彼此相接觸;
將所述無定形有機(jī)層和所述結(jié)晶有機(jī)層退火足以在所述無定形有機(jī)層中誘導(dǎo)至少部分結(jié)晶性的時(shí)間;以及
將第二電極沉積在所述無定形有機(jī)層和所述結(jié)晶有機(jī)層上。
2.權(quán)利要求1的方法,其中所述退火選自溶劑蒸氣退火和熱退火。
3.權(quán)利要求1的方法,其中所述無定形有機(jī)層和所述結(jié)晶有機(jī)層包含不同的小分子材料。
4.權(quán)利要求1的方法,其中所述無定形有機(jī)層包含在所述退火的作用下經(jīng)歷與所述結(jié)晶有機(jī)層的材料反向準(zhǔn)外延(IQE)對(duì)齊的至少一種材料。
5.權(quán)利要求4的方法,其中經(jīng)歷IQE對(duì)齊的所述至少一種材料相對(duì)于所述結(jié)晶有機(jī)層的材料是供體或受體。
6.權(quán)利要求5的方法,其中經(jīng)歷IQE的所述至少一種材料相對(duì)于所述結(jié)晶有機(jī)層的材料是供體,并且所述結(jié)晶有機(jī)層的材料包含富勒烯或其衍生物。
7.權(quán)利要求4的方法,其中經(jīng)歷IQE對(duì)齊的所述至少一種材料相對(duì)于所述結(jié)晶有機(jī)層的材料是供體,其中所述至少一種材料包含方酸或其衍生物。
8.權(quán)利要求4的方法,其中經(jīng)歷IQE對(duì)齊的所述至少一種材料在結(jié)晶后,在至少一個(gè)晶體方向和小于10%的晶體尺寸上表現(xiàn)出與所述結(jié)晶有機(jī)層的材料的晶格失配。
9.權(quán)利要求4的方法,其中經(jīng)歷IQE對(duì)齊的所述至少一種材料在結(jié)晶后,在至少一個(gè)晶體方向和小于5%的晶體尺寸上表現(xiàn)出與所述結(jié)晶有機(jī)層的材料的晶格失配。
10.權(quán)利要求4的方法,其中所述無定形有機(jī)層還包含在所述退火的作用下不經(jīng)歷與所述結(jié)晶有機(jī)層的材料IQE對(duì)齊的至少一種材料。
11.權(quán)利要求10的方法,其中經(jīng)歷IQE對(duì)齊的所述至少一種材料和不經(jīng)歷IQE對(duì)齊的所述至少一種材料相對(duì)于所述結(jié)晶有機(jī)層的材料是供體或受體。
12.權(quán)利要求1的方法,其還包括在退火之前在所述無定形有機(jī)層和所述結(jié)晶有機(jī)層上沉積緩沖層,使得所述緩沖層也暴露于所述退火。
13.權(quán)利要求1的方法,其中所述無定形有機(jī)層和所述結(jié)晶有機(jī)層使用不同的沉積技術(shù)來沉積。
14.權(quán)利要求13的方法,其中所述無定形有機(jī)層使用溶液處理技術(shù)來沉積,并且所述結(jié)晶有機(jī)層使用真空沉積技術(shù)來沉積。
15.一種將材料在界面處互混的方法,所述方法包括:
提供布置在基材上并包含有機(jī)層和結(jié)晶有機(jī)層的膜,其中所述有機(jī)層在所述界面處接觸所述結(jié)晶有機(jī)層;并且
對(duì)所述有機(jī)層和所述結(jié)晶有機(jī)層進(jìn)行退火。
16.權(quán)利要求15的方法,其中所述退火選自溶劑蒸氣退火和熱退火。
17.權(quán)利要求15的方法,其中所述有機(jī)層是無定形的,并且包含在所述退火的作用下經(jīng)歷與所述結(jié)晶有機(jī)層的材料IQE對(duì)齊的至少一種材料。
18.權(quán)利要求15的方法,其中提供布置在基材上并包含有機(jī)層和結(jié)晶有機(jī)層的膜包括將有機(jī)層和結(jié)晶有機(jī)層沉積在所述基材上,其中所述有機(jī)層和所述結(jié)晶有機(jī)層使用不同技術(shù)來沉積。
19.權(quán)利要求18的方法,其中所述有機(jī)層使用溶液處理技術(shù)來沉積,并且所述結(jié)晶有機(jī)層使用真空沉積技術(shù)來沉積。
20.權(quán)利要求15的方法,其中所述有機(jī)層包含相對(duì)于所述結(jié)晶有機(jī)層的材料的供體材料或受體材料。
21.權(quán)利要求17的方法,其中經(jīng)歷IQE對(duì)齊的所述至少一種材料相對(duì)于所述結(jié)晶有機(jī)層的材料是供體或受體。
22.權(quán)利要求21的方法,其中經(jīng)歷IQE對(duì)齊的所述至少一種材料相對(duì)于所述結(jié)晶有機(jī)層的材料是供體,并且所述結(jié)晶有機(jī)層的材料包含富勒烯或其衍生物。
23.權(quán)利要求17的方法,其中所述無定形有機(jī)層還包含在所述退火的作用下不經(jīng)歷與所述結(jié)晶有機(jī)層的材料IQE對(duì)齊的至少一種材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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