[發明專利]磁阻元件的制造方法

有效

• 申請號: 201380067306.2
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN104885245B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 清野拓哉;西村和正;奧山博基;大谷裕一;室岡勇太;島根由光
• 申請（專利權）人: 佳能安內華股份有限公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L21/316;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

1.一種磁阻元件的制造方法，其包括：

形成磁化自由層和磁化固定層之一的步驟；

在形成的所述磁化自由層和所述磁化固定層之一上形成隧道阻擋層的步驟；和

在所述隧道阻擋層上形成所述磁化自由層和所述磁化固定層的另一者的步驟，

其中所述形成隧道阻擋層的步驟包括

在基板上沉積金屬膜的沉積步驟，和

使所述金屬膜進行氧化處理的氧化步驟，

其中所述氧化步驟包括

將具有其上形成的金屬膜的所述基板保持在從進行所述氧化處理的處理容器內的基板保持件的基板保持面突出的支承部的基板保持步驟，

在將所述基板載置在所述支承部的狀態下，通過在所述金屬膜不升華的溫度下將氧氣導入至所述處理容器內而將氧氣供給至所述基板的供給步驟，

開始導入所述氧氣之后將所述基板載置在所述基板保持面的基板載置步驟，和

加熱載置在所述基板保持面上的基板的加熱步驟，

其中，所述支承部可在與所述基板保持面分離、突出的突出狀態和收納在所述基板保持面內部的收納狀態之間切換，

在所述支承部處于所述突出狀態的狀態下實施所述基板保持步驟，

所述氧氣的導入開始后，所述基板保持面上的所述基板的載置通過將所述支承部切換至所述收納狀態來實施。

2.根據權利要求1所述的磁阻元件的制造方法，其中在所述基板載置步驟前加熱所述基板保持面。

3.根據權利要求1所述的磁阻元件的制造方法，其進一步包括在所述加熱步驟前的所述氧氣導入的停止步驟。

4.根據權利要求3所述的磁阻元件的制造方法，

其中所述停止步驟包括，在通過所述基板載置步驟將所述基板載置在所述基板保持面前停止所述氧氣的導入，

其中所述制造方法進一步包括，在通過所述基板載置步驟將所述基板載置在所述基板保持面后，將所述氧氣導入所述處理容器內的氧氣再導入步驟。

5.根據權利要求4所述的磁阻元件的制造方法，其中所述氧氣再導入步驟包括，在將所述基板移動至更接近所述處理容器內設置的、并且構造為將所述氧氣導入所述處理容器中的氧氣導入單元的同時，導入所述氧氣。

6.根據權利要求4所述的磁阻元件的制造方法，其中所述氧氣再導入步驟包括，在沿所述基板的面內方向旋轉所述基板的同時，導入所述氧氣。

7.根據權利要求1所述的磁阻元件的制造方法，其中所述金屬膜為鎂。

8.一種磁阻元件的制造方法，其包括：

形成磁化自由層和磁化固定層之一的步驟；

在形成的所述磁化自由層和所述磁化固定層之一上形成隧道阻擋層的步驟；和

在所述隧道阻擋層上形成所述磁化自由層和所述磁化固定層的另一者的步驟，

其中所述形成隧道阻擋層的步驟包括

在基板上沉積金屬膜的沉積步驟，和

使所述金屬膜進行氧化處理的氧化步驟，

其中所述氧化步驟包括：

將具有其上形成的所述金屬膜的基板保持在進行所述氧化處理的處理容器內的基板保持件上的基板保持步驟，

通過在所述金屬膜不升華的溫度下將氧氣導入至所述處理容器內而將所述氧氣供給至所述基板的供給步驟，和

在導入所述氧氣的同時或其后加熱所述基板的加熱步驟，

其中所述氧化步驟進一步包括，在所述基板保持步驟后，通過改變所述基板保持件相對于所述處理容器的相對位置，在所述處理容器內形成由所述基板保持件的基板保持面和所述處理容器內設置的包圍部形成的空間的步驟，其中形成所述空間使得所述基板保持面由所述包圍部包圍并且在所述包圍部與所述基板保持件之間形成間隙，

其中導入至所述空間的所述氧氣通過所述間隙從所述空間排出。

9.根據權利要求8所述的磁阻元件的制造方法，

其中所述基板保持步驟包括，將所述基板載置在從所述基板保持面突出的支承部上，

其中所述供給的步驟包括，在將所述基板載置在所述支承部的狀態下，在所述金屬膜不升華的溫度下將所述氧氣供給至所述基板，

其中所述制造方法進一步包括，將載置在所述支承部上的所述基板載置在所述基板保持面上的載置步驟，

其中所述加熱步驟包括，加熱載置在所述基板保持面上的所述基板。