[發(fā)明專利]碳氟聚合物的化學(xué)氣相沉積

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380067246.4
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN104870687A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·V·朱克;N·桑能伯格
• 申請（專利權(quán)）人: 吉列公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;B05D1/00;B26B21/60;C23C16/46
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 王穎;陳文青

1.一種用于在結(jié)構(gòu)體的表面上形成碳氟聚合物的方法，所述方法包括以下步驟：

·引導(dǎo)原料氣體通過多孔加熱構(gòu)件，所述構(gòu)件的溫度足以裂解所述原料氣體以產(chǎn)生反應(yīng)性物質(zhì)，所述反應(yīng)性物質(zhì)包含(CF₂)_n基團(tuán)，其中n＝1或2，并且選擇性地促進(jìn)(CF₂)_n聚合，所述反應(yīng)性物質(zhì)位于鄰近在其上形成所述碳氟聚合物的結(jié)構(gòu)體表面的位置處；以及

·保持所述結(jié)構(gòu)體表面的溫度低于所述多孔加熱構(gòu)件的溫度，從而引起所述(CF₂)_n基團(tuán)(其中n＝1或2)在所述結(jié)構(gòu)體表面上的沉積和聚合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述原料氣體包含六氟環(huán)氧丙烷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其中所述多孔加熱構(gòu)件包括具有直徑為約0.01至約1000微米的孔的材料。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述多孔加熱構(gòu)件包括選自陶瓷、金屬、合金、金屬間化合物、以及這些材料的組合的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述多孔加熱構(gòu)件包括選自碳化硅、鋁、鈮、鐵-鉻、石墨、鎳-鉻和不銹鋼的材料。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述多孔加熱構(gòu)件的溫度高于約150℃，并且其中所述保持所述結(jié)構(gòu)體表面溫度的步驟包括保持所述結(jié)構(gòu)體表面的溫度低于約150℃。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述多孔加熱構(gòu)件包括以圖案形式布置的多個孔。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述多孔加熱構(gòu)件包括孔隨機(jī)布置的多個孔。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)體包括剃刀刀片。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)體選自外科針、手術(shù)刀、光纖、透鏡和電子導(dǎo)電體。

11.根據(jù)權(quán)利要求1和3-10中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述原料氣體選自CF₃CF(O)CF₂(HFPO)、C₂F₄、C₃F₈、CF₃H、CF₂H₂、CF₂N_2,、CF₃COCF₃、CF₂ClCOCF₂Cl、CF₂ClCOCFCl₂、CF₃COOH、CF₂Br₂、CF₂HBr、CF₂HCl、CF₂Cl₂、CF₂FCl；C₃F₆、C₃F₄H₂、C₃F₂Cl₄、C₂F₃Cl₃、C₃F₄Cl₂；(CF₃)₃PF₂、(CF₃)₂PF₃、(CF₃)PF₄；(CF₃)₃P、(CF₃)₂P-P(CF₃)₂、(CF₃)₂PX和CF₃PX₂，其中X是F、Cl、或H。