[發明專利]含有多環芳香族乙烯基化合物的自組裝膜的下層膜形成用組合物

有效

• 申請號: 201380066230.1
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN104854205B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 染谷安信;若山浩之;遠藤貴文;坂本力丸
• 申請（專利權）人: 日產化學工業株式會社
• 主分類號: C09D201/00
• 分類號: C09D201/00;B05D1/38;B05D3/10;B05D7/24;C09D5/00;C09D125/00;C09D139/04;C09D145/00;G03F7/11;G03F7/26;H01L21/027
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;李照明

1.一種圖案結構，包含自組裝膜的下層膜和自組裝膜，所述自組裝膜的下層膜是由含有在聚合物的全部結構單元中具有20摩爾％以上的多環芳香族乙烯基化合物結構單元的聚合物的下層膜形成用組合物形成的，所述自組裝膜是由包含有機聚合物鏈A和聚合物鏈B的嵌段聚合物獲得的，所述有機聚合物鏈A含有有機單體a作為結構單元，所述聚合物鏈B含有與有機單體a不同的單體b作為結構單元且鍵合于該有機聚合物鏈A，

上層的自組裝膜中的嵌段聚合物相對于基板垂直地微相分離，

所述下層膜形成用組合物中含有的所述聚合物，在聚合物的全部結構單元中具有20摩爾％以上的芳香族乙烯基化合物結構單元，且在該芳香族乙烯基化合物的全部結構單元中具有1摩爾％以上的多環芳香族乙烯基化合物結構單元。

2.根據權利要求1所述的圖案結構，所述芳香族乙烯基化合物包含可分別被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，且所述多環芳香族乙烯基化合物為可分別被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。

3.根據權利要求1或2所述的圖案結構，所述芳香族乙烯基化合物包含可被取代的苯乙烯、和可分別被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，所述多環芳香族乙烯基化合物為乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。

4.根據權利要求1或2所述的圖案結構，所述芳香族乙烯基化合物為可被取代的苯乙烯、和可分別被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，所述多環芳香族乙烯基化合物為可分別被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。

5.根據權利要求1或2所述的圖案結構，所述芳香族乙烯基化合物僅由多環芳香族乙烯基化合物構成，所述芳香族乙烯基化合物為可分別被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。

6.根據權利要求1或2所述的圖案結構，所述下層膜形成用組合物中含有的所述聚合物，在聚合物的全部結構單元中具有60～95摩爾％的芳香族乙烯基化合物結構單元。

7.根據權利要求1或2所述的圖案結構，所述下層膜形成用組合物中含有的所述聚合物進一步包含具有可形成交聯的基團的結構單元。

8.根據權利要求7所述的圖案結構，所述可形成交聯的基團為羥基、環氧基、被保護了的羥基或被保護了的羧基。

9.根據權利要求1或2所述的圖案結構，所述下層膜形成用組合物中進一步含有交聯劑。

10.根據權利要求1或2所述的圖案結構，所述下層膜形成用組合物中進一步含有酸或產酸劑。

11.根據權利要求1或2所述的圖案結構，所述嵌段聚合物為由以下組合獲得的嵌段聚合物：聚苯乙烯A與聚甲基丙烯酸甲酯B的組合、聚苯乙烯A與聚異戊二烯B的組合、聚苯乙烯A與聚丁二烯B的組合、聚苯乙烯A與聚二甲基硅氧烷B的組合、聚苯乙烯A與聚環氧乙烷B的組合、或聚苯乙烯A與聚乙烯基吡啶B的組合。

12.一種形成自組裝膜的圖案結構的形成方法，所述圖案結構是權利要求1～11中任一項所述的圖案結構，包含以下工序：在基板上涂布自組裝膜的下層膜形成用組合物并進行燒成而形成下層膜的工序；在該下層膜上涂布自組裝膜形成用組合物并進行燒成的工序。

13.一種形成自組裝膜的圖案結構的形成方法，所述圖案結構是權利要求7或8所述的圖案結構，包含以下工序：在基板上涂布自組裝膜的下層膜形成用組合物并進行燒成而形成下層膜的工序；使該下層膜與溶劑接觸而除去該下層膜的表面層的工序；在除去了該表面層的下層膜上涂布自組裝膜形成用組合物并進行燒成的工序。

14.根據權利要求12或13所述的圖案結構的形成方法，在涂布自組裝膜的下層膜形成用組合物并進行燒成而形成下層膜的工序之前，包含在基材上形成基底膜的工序。