[發明專利]硅氧化物納米顆粒與硅倍半氧烷聚合物的復合物及其制造方法、以及使用該復合物而制造的復合材料

有效

• 申請號: 201380065857.5
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104854168A
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 吉田尚史;田代裕治;橫山大志;野中敏章
• 申請（專利權）人: AZ電子材料（盧森堡）有限公司
• 主分類號: C08G77/04
• 分類號: C08G77/04;C08K3/36;C08L83/06
• 代理公司: 北京三幸商標專利事務所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉淼

1.一種硅氧化物納米顆粒與硅倍半氧烷聚合物的復合物，其特征在于，在水性溶劑與有機性溶劑的混合溶劑中并在相轉移催化劑的存在下，使在末端具有硅烷醇基的硅倍半氧烷聚合物或硅烷單體與在表面具有羥基或者烷氧基的硅氧化物納米顆粒進行反應，從而獲得。

2.根據權利要求1所述的復合物，其中，所述硅倍半氧烷聚合物是包含從由[R¹SiO_1.5]以及[SiO₂]組成的組中選出的重復單元的聚合物，硅烷單體由R¹Si(OR²)₃和Si(OR²)₄構成，式中，R¹是從由氫、烷基、芳基以及烯基組成的組中選出的基團，R²是從由氫、烷基、芳基以及烯基組成的組中選出的基團。

3.根據權利要求1或2所述的復合物，其中，所述硅倍半氧烷聚合物的重均分子量為500～20,000。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的復合物，其中，所述硅氧化物納米顆粒由下述通式(1)表示，

SiO₂(OR)_z??(1)

式中，R是氫或者C₁～C₁₀烷基。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的復合物，其中，所述硅氧化物納米顆粒的平均粒徑為5～200nm。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的復合物，其中，所述水性溶劑是水、或者水與醇的混合溶劑。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的復合物，其中，以所述復合物的總量為基準，含有5～90重量％的硅氧化物納米顆粒。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的復合物，其中，以所述復合物的總量為基準，具有2～50mol％的相轉移催化劑。

9.一種硅氧化物納米顆粒與硅倍半氧烷的復合物，其特征在于，其包含硅倍半氧烷聚合物和硅氧化物納米顆粒，所述硅倍半氧烷聚合物的硅原子與所述硅氧化物納米顆粒的表面介由氧原子而結合著。

10.一種含有硅氧化物的復合材料，其特征在于，通過將權利要求1～9中任一項所述的復合物在空氣中或者非活性氣氛中在150℃以上加熱固化，從而獲得。

11.根據權利要求10所述的含有硅氧化物的復合材料，其為在內部形成了空孔的多孔質材料。

12.一種電子元件，其特征在于，以層間膜、折射率控制膜、抗反射膜或者保護膜的方式具備權利要求10或11所述的含有硅氧化物的復合材料。

13.一種硅氧化物納米顆粒與硅倍半氧烷的復合物的制造方法，其特征在于，在水性溶劑與有機溶劑的混合溶劑中并在相轉移催化劑的存在下，使在末端具有硅烷醇基的硅倍半氧烷聚合物與在表面具有羥基或者烷氧基的硅氧化物納米顆粒進行反應。