[發明專利]基于萘二酰亞胺-亞乙烯基-低聚噻吩-亞乙烯基聚合物的半導體材料在審
| 申請號: | 201380065758.7 | 申請日: | 2013-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN105051087A | 公開(公告)日: | 2015-11-11 |
| 發明(設計)人: | A·K·米什拉;Y·關;H·諾古基;M·周;C·焦;F·德茲 | 申請(專利權)人: | 巴斯夫歐洲公司;破立紀元有限公司 |
| 主分類號: | C08G61/12 | 分類號: | C08G61/12;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 張雙雙;劉金輝 |
| 地址: | 德國路*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 萘二酰 亞胺 乙烯基 噻吩 聚合物 半導體材料 | ||
1.一種包含下式單元的聚合物:
其中
R1和R2相互獨立地為C1-30烷基、C2-30鏈烯基、C2-30炔基、苯基或5-8員雜環體系,
其中C1-30烷基、C2-30鏈烯基或C2-30炔基各自可以被1-10個獨立地選自鹵素、-CN、-NO2、-OH、-NH2、-NH(C1-20烷基)、-N(C1-20烷基)2、-NH-C(O)-(C1-20烷基)、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-CO(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-O-C1-20烷基、-O-C(O)-C1-20烷基、-SiH3、SiH2(C1-20烷基)、SiH(C1-20烷基)2、Si(C1-20烷基)3、C4-8環烷基、苯基和5-8員雜環體系的取代基取代,以及
苯基或5-8員雜環體系可以被1-5個C1-16烷基取代,
o為1、2或3以及
n為2-10,000的整數。
2.權利要求1的聚合物,其中
R1和R2相互獨立地為C6-30烷基、C6-30鏈烯基、C6-30炔基或苯基,
其中C6-30烷基、C6-30鏈烯基或C6-30炔基各自可以被1-10個獨立地選自鹵素、-CN、-NO2、-OH、-NH2、-NH(C1-20烷基)、-N(C1-20烷基)2、-NH-C(O)-(C1-20烷基)、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-CO(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-O-C1-20烷基和N-O-C(O)-C1-20烷基的取代基取代,以及
苯基可以被1或2個C1-16烷基取代。
3.權利要求1的聚合物,其中
R1和R2相互獨立地為C6-30烷基、C6-30鏈烯基或C6-30炔基,
其中C6-30烷基、C6-30鏈烯基或C6-30炔基各自可以被1-10個獨立地選自鹵素、-CN、-NO2、-NH(C1-20烷基)、-N(C1-20烷基)2、-NH-C(O)-(C1-20烷基)、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-CO(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-O-C1-20烷基和N-O-C(O)-C1-20烷基的取代基取代。
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