[發(fā)明專利]用于電流變換器的保護(hù)電路以及具有保護(hù)電路的電流變換器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380065720.X | 申請日: | 2013-11-07 | 
| 公開(公告)號(hào): | CN105191043A | 公開(公告)日: | 2015-12-23 | 
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·揚(yáng)科夫斯基 | 申請(專利權(quán))人: | 菲尼克斯電氣公司 | 
| 主分類號(hào): | H02H9/04 | 分類號(hào): | H02H9/04;H01F27/40;G01R1/36;G01R19/00;H01F38/20;H02H7/04 | 
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 張立國 | 
| 地址: | 德國勃*** | 國省代碼: | 德國;DE | 
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 電流 變換器 保護(hù) 電路 以及 具有 | ||
1.用于電流變換器(10)的保護(hù)電路,所述保護(hù)電路用于阻止電流變換器(10)的次級(jí)電路(10.1)上的次級(jí)電壓(Us)超過次級(jí)電壓閥值,所述保護(hù)電路包括:
-保護(hù)電路輸入端(12.1),所述保護(hù)電路輸入端能耦合到電流變換器(10)的次級(jí)電路(10.1)上,從而次級(jí)電壓(Us)施加在保護(hù)電路輸入端(12.1)上,
-與保護(hù)電路輸入端(12.1)相連接的控制單元(16),以及
-與保護(hù)電路輸入端(12.1)相連接的開關(guān)單元(18),所述開關(guān)單元與控制單元(16)可操控地連接,
其中,
-所述控制單元(16)構(gòu)成為用于在對由次級(jí)電壓(Us)超過次級(jí)電壓閥值進(jìn)行響應(yīng)的情況下將控制信號(hào)提供到開關(guān)單元(18)上,
-所述開關(guān)單元(18)構(gòu)成為用于在對由控制單元(16)所提供的控制信號(hào)進(jìn)行響應(yīng)的情況下使保護(hù)電路輸入端(12.1)短路,以及
-所述開關(guān)單元(18)構(gòu)成為半導(dǎo)體電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)電路,其特征在于以下特征中的至少一個(gè):
-所述控制單元(16)直通地或直接地與保護(hù)電路輸入端(12.1)相連接;
-所述開關(guān)單元(18)直通地或直接地與保護(hù)電路輸入端(12.1)相連接;
-所述保護(hù)電路(12)包括與所述保護(hù)電路輸入端(12.1)相連接的用于過壓保護(hù)的限制單元(14)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2之一所述的保護(hù)電路,其特征在于,所述控制單元(16)包括下列組件中的一個(gè)或者多個(gè):
-比較器單元(16.2),所述比較器單元構(gòu)成為:如果比較器單元(16.2)的輸入端電壓超過閥值則用于將所述控制信號(hào)提供到開關(guān)單元(18)上,
-與保護(hù)電路輸入端(12.1)相連接的整流器(16.1),所述整流器用于提供與次級(jí)電壓(Us)的幅值相關(guān)的、優(yōu)選是脈沖的直流電壓(Ug)作為比較器單元(16.2)的輸入端電壓。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的保護(hù)電路,其特征在于,所述比較器單元(16.2)包括下列組件中的一個(gè)或者多個(gè):
-具有正輸入端、負(fù)輸入端以及輸出端的比較器(K),大約為比較器單元(16.2)的輸入端電壓水平的電壓施加在所述負(fù)輸入端上,所述輸出端提供控制信號(hào);
-分壓器(R2、R3),其中,所述正輸入端與比較器單元(16.2)的輸入端電壓通過分壓器(R2、R3)相連接;
-穩(wěn)壓二極管(D2),所述穩(wěn)壓二極管與負(fù)輸入端相連接,用于限制施加在負(fù)輸入端上的電壓;
-電容器(C),所述電容器與所述正輸入端相連接。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的保護(hù)電路,其特征在于,所述開關(guān)單元(18)包括下列組件中的一個(gè)或者多個(gè):
-至少一個(gè)MOSFET;
-兩個(gè)以背靠背接線設(shè)置的MOSFET(T1、T2);
-與(i)一個(gè)MOSFET或者(ii)多個(gè)MOSFET并聯(lián)布置的固態(tài)繼電器(SSR);
-雙向可控硅;
-用于耦合控制信號(hào)的光電耦合器。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的保護(hù)電路,其特征在于,所述限制單元(14)包括下列組件中的一個(gè)或者多個(gè):
-瞬態(tài)抑制二極管(D1);
-壓敏電阻;
-氣體放電保護(hù)裝置。
7.電流變換器,所述電流變換器具有根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的保護(hù)電路(12)。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求所述的電流變換器,其特征在于,所述保護(hù)電路(12)容納在殼體(10.2)中、特別是容納在電流變換器(10)的次級(jí)接線盒(10.3)中。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于菲尼克斯電氣公司,未經(jīng)菲尼克斯電氣公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380065720.X/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





