[發明專利]碳化硅半導體器件

在審

• 申請號: 201380065570.2
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN104854704A
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 增田健良;和田圭司
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種碳化硅半導體器件，所述碳化硅半導體器件具有下述平面布局，所述平面布局包括中心部和圍繞所述中心部并且構成外邊緣的外邊緣部，所述碳化硅半導體器件包括：

碳化硅膜，所述碳化硅膜具有第一主表面以及在厚度方向上與所述第一主表面相反的第二主表面，所述碳化硅膜具有構成所述第一主表面的第一范圍以及構成所述第二主表面的第二范圍，所述第一范圍和所述第二范圍在所述第一范圍和所述第二范圍之間具有與所述第一主表面和所述第二主表面分離的界面IF，所述第一范圍包括第一擊穿電壓保持層以及外邊緣嵌入區，所述第一擊穿電壓保持層構成所述第一主表面并且具有第一導電類型，所述外邊緣嵌入區部分地設置在所述外邊緣部中的所述界面處并且具有第二導電類型，所述第二范圍包括構成所述界面并且具有所述第一導電類型的第二擊穿電壓保持層，所述第一擊穿電壓保持層和所述第二擊穿電壓保持層構成嵌入有所述外邊緣嵌入區的擊穿電壓保持區，所述第二范圍設置有半導體元件，所述半導體元件用于控制從所述第二主表面和所述界面中的一個流至另一個的電流，所述第一范圍具有中心區段和外邊緣區段，所述中心區段在厚度方向上面對所述中心部中的所述半導體元件，所述外邊緣區段在厚度方向上面對所述外邊緣部中的所述半導體元件，在所述界面處，所述外邊緣區段通過具有所述外邊緣嵌入區的至少一部分而包括具有與所述中心區段的雜質濃度不同的雜質濃度的部分，所述雜質提供所述第二導電類型；

第一電極，所述第一電極面對所述中心部和所述外邊緣部中的每一個中的所述第一主表面；以及

第二電極，所述第二電極與所述中心部和所述外邊緣部中的每一個中的所述第二主表面接觸。

2.根據權利要求1所述的碳化硅半導體器件，其中，所述外邊緣嵌入區包括保護環區，所述保護環區在所述界面處圍繞所述中心部。

3.根據權利要求1或2所述的碳化硅半導體器件，其中，所述第一范圍包括緩和區，所述緩和區部分地設置在所述界面處、在所述界面處由所述外邊緣嵌入區圍繞、具有包括在所述中心部中的至少一部分，并且具有所述第二導電類型。

4.根據權利要求3所述的碳化硅半導體器件，其中，所述外邊緣嵌入區包括結終端區，所述結終端區與所述緩和區接觸并且具有比所述緩和區的雜質濃度低的雜質濃度。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的碳化硅半導體器件，其中，所述第一范圍包括場停止區，所述場停止區部分地設置在所述外邊緣部中的所述界面處、在所述界面處圍繞所述外邊緣嵌入區、具有所述第一導電類型、并且具有比所述第一擊穿電壓保持層的雜質濃度高的雜質濃度。