[發明專利]SiC基板的制造方法在審
| 申請號： | 201380065498.3 | 申請日： | 2013-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN104854683A | 公開（公告）日： | 2015-08-19 |
| 發明（設計）人： | 佐佐木有三 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 劉航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 制造 方法 | ||
1.一種SiC基板的制造方法，其特征在于，具備：
犧牲膜形成工序，該工序在SiC基板的表面形成膜厚為所述表面的最大高低差以上的犧牲膜；
犧牲膜平坦化工序，該工序通過機械加工將所述犧牲膜的表面平坦化；和
SiC基板平坦化工序，該工序通過在所述SiC基板與所述犧牲膜的蝕刻選擇比成為0.5～2.0的范圍的條件下進行干式蝕刻，在除去所述犧牲膜的同時將所述SiC基板的所述表面平坦化。
2.一種SiC基板的制造方法，其特征在于，具備：
犧牲膜形成工序，該工序在SiC基板的表面形成犧牲膜時，一邊調整所述犧牲膜的膜厚一邊形成所述犧牲膜，使得所述犧牲膜整個表面位于比所述SiC基板的所述表面之中最突出的突出部高的位置；
犧牲膜平坦化工序，該工序通過機械加工將所述犧牲膜的表面平坦化；和
SiC基板平坦化工序，該工序通過在所述SiC基板與所述犧牲膜的蝕刻選擇比成為0.5～2.0的范圍的條件下進行干式蝕刻，在除去所述犧牲膜的同時將所述SiC基板的所述表面平坦化。
3.根據權利要求1或2所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述犧牲膜平坦化工序中，通過磨削、研磨或CMP將所述犧牲膜平坦化。
4.根據權利要求1～3的任一項所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述犧牲膜平坦化工序中，不使所述SiC基板的所述表面露出地將所述犧牲膜平坦化。
5.根據權利要求1～4的任一項所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，作為所述犧牲膜使用碳膜，采用濺射法形成所述碳膜。
6.根據權利要求1～5的任一項所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，作為提供給所述犧牲膜形成工序的所述SiC基板，使用從SiC錠切取的SiC基板。
7.根據權利要求1～6的任一項所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在從所述SiC錠切取所述SiC基板之后、進行所述犧牲膜平坦化工序之前，預先通過機械加工將所述SiC基板的所述表面進行平坦化。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
