[發(fā)明專(zhuān)利]具有靜電放電(ESD)兼容的驅(qū)動(dòng)水平限幅器的晶體振蕩器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380065397.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-10-04 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104854697B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 成義·安德魯·林 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 谷歌有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/02 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/02;H02H9/04;H03B5/36 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 周亞榮;安翔 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 靜電 放電 esd 兼容 驅(qū)動(dòng) 水平 限幅器 晶體振蕩器 | ||
1.一種用于晶體振蕩器的方法，包括以下步驟：
在包括片上主支路、片上漏極支路、片上柵極支路和串聯(lián)連接的二極管-電阻支路的所述晶體振蕩器中，通過(guò)經(jīng)由二極管-電阻支路對(duì)施加至所述晶體振蕩器的漏極焊盤(pán)的電壓進(jìn)行箝位，來(lái)對(duì)所述晶體振蕩器中的晶體驅(qū)動(dòng)水平進(jìn)行限幅，其中所述片上主支路包括至少一個(gè)晶體管元件，所述片上漏極支路將所述晶體管元件的漏極端子連接至所述漏極焊盤(pán)，所述片上柵極支路將所述片上主支路連接至柵極焊盤(pán)，所述串聯(lián)連接的二極管-電阻支路連接至所述片上漏極支路，所述二極管-電阻支路包括至少一個(gè)二極管和至少一個(gè)電阻元件，其中所述至少一個(gè)二極管具有直接連接到所述漏極支路的節(jié)點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括以下步驟：從片外漏極節(jié)點(diǎn)施加所述電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個(gè)二極管和所述至少一個(gè)電阻元件在所述二極管-電阻支路中串聯(lián)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括以下步驟：經(jīng)由所述二極管-電阻支路的所述至少一個(gè)電阻元件來(lái)對(duì)流經(jīng)所述至少一個(gè)二極管的電流進(jìn)行限幅。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，還包括以下步驟：在靜電放電事件即ESD事件期間對(duì)流經(jīng)所述至少一個(gè)二極管的電流進(jìn)行限幅。
6.一種用于晶體振蕩器的方法，包括以下步驟：
在包括片上電路的所述晶體振蕩器中，通過(guò)經(jīng)由所述片上電路中包括的串聯(lián)連接的二極管-電阻支路對(duì)施加至晶體振蕩器的漏極焊盤(pán)的電壓進(jìn)行箝位，來(lái)對(duì)所述晶體振蕩器中的晶體驅(qū)動(dòng)水平進(jìn)行限幅，
其中，所述片上電路還包括：片上主支路，所述片上主支路包括至少一個(gè)晶體管元件；片上漏極支路，所述片上漏極支路將所述晶體管元件的漏極端子連接至所述漏極焊盤(pán)；片上柵極支路，所述片上柵極支路位于所述片上主支路和柵極焊盤(pán)之間，
其中，所述串聯(lián)連接的二極管-電阻支路連接至所述漏極支路并且包括至少一個(gè)二極管和至少一個(gè)電阻元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述晶體振蕩器還包括：片外漏極節(jié)點(diǎn)，所述片外漏極節(jié)點(diǎn)經(jīng)由所述漏極焊盤(pán)連接至所述片上電路；以及片外柵極節(jié)點(diǎn)，所述片外柵極節(jié)點(diǎn)經(jīng)由所述柵極焊盤(pán)連接至所述片上電路，以及
其中，從所述片外漏極節(jié)點(diǎn)施加所述電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述二極管-電阻的組合包括串聯(lián)連接的二極管和電阻元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，還包括以下步驟：經(jīng)由所述電阻元件來(lái)對(duì)流經(jīng)所述二極管的電流進(jìn)行限幅。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，還包括以下步驟：在靜電放電事件即ESD事件期間對(duì)流經(jīng)所述二極管的電流進(jìn)行限幅。
11.一種晶體振蕩器，包括：
片外漏極節(jié)點(diǎn)，其經(jīng)由漏極焊盤(pán)連接至片上電路；
片外柵極節(jié)點(diǎn)，其經(jīng)由柵極焊盤(pán)連接至所述片上電路，
其中，所述片上電路包括：
主支路，其包括至少一個(gè)晶體管元件；
漏極支路，其位于所述主支路和所述漏極焊盤(pán)之間；
柵極支路，其位于所述主支路和所述柵極焊盤(pán)之間；以及
串聯(lián)連接的二極管-電阻支路，其連接至所述漏極支路，所述二極管-電阻支路包括至少一個(gè)二極管和至少一個(gè)電阻元件，其中所述至少一個(gè)二極管具有直接連接到所述漏極支路的節(jié)點(diǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶體振蕩器，其中，所述二極管-電阻支路被配置為通過(guò)對(duì)施加至所述晶體振蕩器的所述漏極焊盤(pán)的電壓進(jìn)行箝位來(lái)對(duì)所述晶體振蕩器中的晶體驅(qū)動(dòng)水平進(jìn)行限幅。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶體振蕩器，其中，所述電壓是從所述片外漏極節(jié)點(diǎn)所施加的。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
