[發(fā)明專利]基板清洗液以及基板清洗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380065148.7
• 申請日: 2013-10-09
• 公開（公告）號: CN104871296A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 井田純一;永井達(dá)夫
• 申請（專利權(quán)）人: 栗田工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;B08B3/08;H01L21/304
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 金明花;馮雅

1.基板清洗液，該清洗液是用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或雙方的至少一部分露出的基板的清洗液，其特征在于，包含磷酸、含有由硫酸電解而生成的過硫酸的電解硫酸以及水，加熱至165℃以上且不到沸點的溫度后用于前述清洗。

2.如權(quán)利要求1所述的基板清洗液，其特征在于，由電解而生成的前述過硫酸以清洗液總量的濃度計為1.0～8.0g/L。

3.如權(quán)利要求1或2所述的基板清洗液，其特征在于，在該清洗液總量中，前述磷酸的濃度為15～40質(zhì)量％，前述硫酸的濃度為30～85質(zhì)量％。

4.權(quán)利要求1～3中任一項所述的基板清洗液，其特征在于，在該清洗液總量中，前述磷酸的質(zhì)量％濃度和前述硫酸的質(zhì)量％濃度在1：1.5～1：4的范圍內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的基板清洗液，其特征在于，含水率為15～25質(zhì)量％。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的基板清洗液，其特征在于，用于前述基板的片式清洗。

7.基板清洗方法，該方法是在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或雙方的至少一部分露出的基板的清洗方法，其特征在于，使前述基板與權(quán)利要求1～6中任一項所述的基板清洗液接觸，選擇性地蝕刻前述基板上的氮化硅。

8.如權(quán)利要求7所述的基板清洗方法，其特征在于，前述基板在前述氧化硅上層疊有前述氮化硅。

9.如權(quán)利要求7或8所述的基板清洗方法，其特征在于，前述基板具有32nm以下的圖案線寬。

10.如權(quán)利要求7～9中任一項所述的基板清洗方法，其特征在于，使用前述清洗液對前述基板進行片式清洗。

11.如權(quán)利要求7～10中任一項所述的基板清洗方法，其特征在于，將用于清洗的清洗液回收、供至電解而提高了過硫酸濃度后，再作為清洗液供至前述清洗。