[發明專利]SOI晶圓的制造方法

在審

• 申請號: 201380064933.0
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN104885190A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: 阿賀浩司;橫川功;石塚徹
• 申請（專利權）人: 信越半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/12
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 謝順星;張晶

1.一種SOI晶圓的制造方法，其從由半導體單晶基板構成的接合晶圓的表面，將氫氣及稀有氣體中一種以上的氣體離子進行離子注入來形成離子注入層，在將該接合晶圓的進行過離子注入的表面與基底晶圓表面通過氧化膜進行貼合后，用熱處理爐進行剝離熱處理，在所述離子注入層剝離接合晶圓，由此制作SOI晶圓，其特征在于，

在所述剝離熱處理后，在以低于3.0℃/min的降溫速度降溫至250℃以下后，將剝離后的SOI晶圓及接合晶圓從熱處理爐中取出。

2.根據權利要求1所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，作為形成所述離子注入層的接合晶圓，準備具有比表面氧化膜要厚的背面氧化膜的半導體單晶基板，通過該表面氧化膜進行所述離子注入。

3.根據權利要求2所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，

作為具有比所述表面氧化膜要厚的背面氧化膜的半導體單晶基板，

使用通過如下方法制作的晶圓，即，在半導體單晶基板的整個表面形成熱氧化膜后，通過去除表面側的熱氧化膜，來制作僅在背面側具有熱氧化膜的半導體單晶基板，通過對該僅在背面側具有熱氧化膜的半導體單晶基板進行熱氧化來制作晶圓。

4.根據權利要求3所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，在對所述僅在背面側具有熱氧化膜的半導體單晶基板進行熱氧化前，對去除了熱氧化膜的表面側進行研磨。

5.根據權利要求2至4中任意一項所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，作為具有比所述表面氧化膜要厚的背面氧化膜的半導體單晶基板，使用對在離子注入層剝離后的接合晶圓進行再生加工而制作的晶圓。

6.根據權利要求5所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，不去除所述剝離后的接合晶圓的背面氧化膜而進行所述再生加工。

7.根據權利要求1至6中任意一項所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，通過氫離子與氦離子的共同注入來進行所述離子注入，在該共同注入中將氦離子注入得比氫離子更深。