[發明專利]制備納米晶體鈦，特別是用于醫用植入物的納米晶體鈦的方法和鈦醫用植入物

在審

• 申請號: 201380064907.8
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN105008059A
• 公開（公告）日: 2015-10-28
• 發明（設計）人: 瓦茨瓦夫·帕赫拉;馬里烏什·庫爾奇克;康拉德·沃伊切霍夫斯基
• 申請（專利權）人: 波蘭科學院高壓物理研究所
• 主分類號: B21C23/00
• 分類號: B21C23/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳勝周

1.一種生產納米晶體鈦、特別是用于醫用植入物的納米晶體鈦的方法，其中使具有高于99重量％的純鈦含量的粗晶粒鈦半成品經過塑性處理，其特征在于，所述塑性變形由通過靜液力擠壓縮減所述鈦半成品(1)的橫截面表面積組成，其中該半成品是通過模具(4)擠出的坯料(1)，其中所述鈦坯料的橫截面表面積的縮減在不少于三個連續的靜液力擠壓道次并且不超過五個連續的靜液力擠壓道次期間實現，其中所述坯料(1)的初始溫度不超過50℃，擠出速率不超過50cm/s，在每個靜液力擠壓道次之前，所述鈦坯料(1)用減摩劑覆蓋，并且在第一個靜液力擠壓道次期間所述鈦半成品的橫截面表面積的縮減率(R)為至少4，而在第二個和第三個靜液力擠壓道次期間，縮減率為至少2.5。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述減摩劑是氣溶膠形式的銅潤滑劑。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中離開所述模具(4)的靜液力擠壓的產品(1’)用冷的自來水冷卻。

4.根據權利要求1至3中的一項所述的方法，其中靜液力擠壓道次的數量為至少4個，在第一個靜液力擠壓道次期間所述鈦坯料(1)的橫截面表面積的縮減率(R)在4.0至4.1的范圍內，在第二個和第三個道次期間所述鈦坯料(1)的橫截面表面積的縮減率(R)在2.75至2.85的范圍內，并且在第四個靜液力擠壓道次期間所述鈦坯料(1)的橫截面表面積的縮減率(R)在2.05至2.15的范圍內。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在所述靜液力擠壓道次的任一個中，擠出速度不超過15cm/s。

6.根據權利要求1至5中的一項所述的方法，其中在完成所述靜液力擠壓過程之后，使獲得的鈦產品(1’)經過精整處理，所述精整處理優選是回轉模鍛。

7.一種由具有至少99重量％的純鈦含量的鈦制成的鈦醫用植入物，其特征在于，所述植入物的材料具有平均粒度低于100nm的納米晶體結構并且其屈服應力超過1000MPa。

8.根據權利要求7所述的鈦醫用植入物，其中所述植入物的材料是利用根據權利要求1至9中任一項所述的方法生產的。