[發(fā)明專利]單晶硅的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380064654.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104854266A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-08-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 添田聰;中野真二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C30B15/22
• 分類號(hào): C30B15/22;C30B29/06
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 謝順星;張晶

1.一種單晶硅的制造方法，其是使籽晶與收納于坩堝內(nèi)并添加有摻雜物的原料熔融液接觸，在形成錐部后，接著形成直體部，使電阻率為0.05Ωcm以下且結(jié)晶方位(100)的N型單晶硅生長(zhǎng)的基于切克勞斯基單晶生長(zhǎng)法的單晶硅的制造方法，其特征在于，

在所述錐部的形成過(guò)程中，在調(diào)整θ的同時(shí)形成所述錐部，使在從所述單晶硅的直徑方向觀察時(shí)將所述單晶硅的成長(zhǎng)方向與所述錐部的側(cè)面所構(gòu)成的錐角設(shè)為θ，將所述錐部的側(cè)面的長(zhǎng)度設(shè)為L(zhǎng)時(shí)，θ為25°以上45°以下的區(qū)域的長(zhǎng)度總和相對(duì)于該長(zhǎng)度L為20％以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅的制造方法，其特征在于，作為所述摻雜物，使用Sb、As、P中的任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單晶硅的制造方法，其特征在于，

在所述錐部的形成過(guò)程中，通過(guò)使所述單晶硅的提起速度降低或者使所述坩堝的旋轉(zhuǎn)速度變化來(lái)進(jìn)行所述錐角θ的調(diào)整。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的單晶硅的制造方法，其特征在于，在所述錐部形成的后半，通過(guò)使所述單晶硅的提起速度降低或者使所述坩堝的旋轉(zhuǎn)速度變化，將所述錐角θ保持為大于45°的角度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的單晶硅的制造方法，其特征在于，在所述單晶硅生長(zhǎng)時(shí)，對(duì)所述原料熔融液施加中心磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.15T以上的水平磁場(chǎng)。