[發明專利]使用缺陷特定的信息檢測晶片上的缺陷在審
| 申請號: | 201380064423.3 | 申請日: | 2013-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN104854677A | 公開(公告)日: | 2015-08-19 |
| 發明(設計)人: | 肯翁·吳;吳孟哲;高理升 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 缺陷 特定 信息 檢測 晶片 | ||
1.一種用于檢測晶片上的缺陷的計算機實施的方法,其包括:
獲取晶片上的目標的信息,其中所述目標包括形成在所述晶片上的關注圖案及接近所述關注圖案或在所述關注圖案中發生的已知關注缺陷,且其中所述信息包括通過使所述晶片上的所述目標成像而獲取的所述晶片上的所述目標的圖像、所述晶片上的所述關注圖案的位置、所述已知關注缺陷相對于所述關注圖案的位置,以及從所述關注圖案及所述已知關注缺陷計算的一或多個特性;
搜索所述晶片或另一晶片上的目標候選者,其中所述目標候選者包括所述關注圖案;及
通過識別所述目標候選者的圖像中的潛在關注缺陷位置及將一或多個檢測參數應用到所述潛在關注缺陷位置的圖像而檢測所述目標候選者中的所述已知關注缺陷,其中使用計算機系統執行所述檢測。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述方法的任何步驟無需所述晶片或所述另一晶片的設計數據。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述方法的每一步驟獨立使用所述晶片或所述另一晶片的設計數據。
4.根據權利要求1所述的方法,其中獲取所述目標的所述信息包括:導入關注缺陷樣本的位置。
5.根據權利要求1所述的方法,其中獲取所述目標的所述信息包括:使用檢驗系統在關注缺陷的已知位置中抓取所述晶片上的所述目標的所述圖像。
6.根據權利要求1所述的方法,其中獲取所述目標的所述信息包括指定:關照區域的大小、形狀及位置;模板的大小、形狀及位置;及其中在所述一或多個檢測參數所應用到的所述圖像中確定所述一或多個特性的區域。
7.根據權利要求1所述的方法,其中獲取所述目標的所述信息包括:提供圖形用戶接口給用戶。
8.根據權利要求1所述的方法,其中獲取所述目標的所述信息包括:顯示關注缺陷位置的高分辨率圖像。
9.根據權利要求1所述的方法,其中獲取所述目標的所述信息包括:抓取其中將執行所述搜索的所述晶片或所述另一晶片上的一個裸片中的所有已知關注缺陷的模板。
10.根據權利要求1所述的方法,其中獲取所述目標的所述信息包括:確定模板與所述目標的所述圖像之間的類似性;及確定所述關注圖案相對于接近所述關注圖案的其它圖案的唯一性。
11.根據權利要求1所述的方法,其中所述關注圖案的寬度及高度分別比形成在所述晶片及所述另一晶片上的裸片的寬度及高度短。
12.根據權利要求1所述的方法,其中所述潛在關注缺陷位置接近所述關注圖案的位置。
13.根據權利要求1所述的方法,其中所述一或多個特性包括所述已知關注缺陷的一或多個特性。
14.根據權利要求1所述的方法,其中所述一或多個特性包括所述已知關注缺陷的大小、形狀、強度、對比度或極性。
15.根據權利要求1所述的方法,其中所述已知關注缺陷的所述位置相對于所述關注圖案的所述位置是唯一的。
16.根據權利要求1所述的方法,其中產生微關照區域以覆蓋所述潛在關注缺陷位置中的一者或多者。
17.根據權利要求1所述的方法,其中在缺陷檢測之前的設置步驟中使用檢驗系統執行所述獲取及所述搜索。
18.根據權利要求1所述的方法,其中使用相同類型的不同檢驗系統執行所述獲取及所述搜索。
19.根據權利要求1所述的方法,其中在不同裸片中執行所述獲取及所述搜索,且其中在一個裸片中使用所述目標候選者的一或多個模板執行所述搜索。
20.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括通過將所述關注圖案的模板圖像與用于檢測所述已知關注缺陷的所述圖像相互關聯而確定關照區域位置。
21.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:選擇所述目標的一或多個特性;選擇所述一或多個檢測參數;及確定關照區域的一或多個參數,使得不在所述目標候選者中檢測除所述已知關注缺陷外的缺陷。
22.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:獲取所述晶片或所述另一晶片的其它圖像;及使用所述其它圖像以檢測所述晶片或所述另一晶片上的其它缺陷。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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