[發明專利]SiC基板的制造方法在審
| 申請號： | 201380064310.3 | 申請日： | 2013-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN104838478A | 公開（公告）日： | 2015-08-12 |
| 發明（設計）人： | 佐佐木有三;鈴木賢二 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 劉航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 制造 方法 | ||
1.一種SiC基板的制造方法，是具有通過研磨SiC基板的表面來將其平坦化的工序的SiC基板的制造方法，其特征在于，至少具備：
氧化膜形成工序，該工序以覆蓋所述SiC基板的表面的方式形成氧化膜；和
平坦化工序，該工序通過采用CMP(Chemical?Mechanical?Polishing)法從所述氧化膜側對所述SiC基板實施研磨來除去該氧化膜，并且通過研磨所述SiC基板的表面來將該表面平坦化。
2.根據權利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述氧化膜形成工序中，以0.5μm以上的膜厚形成所述氧化膜。
3.根據權利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述氧化膜形成工序中，在所述SiC基板的表面形成所述氧化膜時的成膜速率為0.15μm/小時以上。
4.根據權利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述平坦化工序中，采用CMP法研磨所述氧化膜和所述SiC基板時，所述氧化膜的加工速率大于所述SiC基板的加工速率。
5.根據權利要求4所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述平坦化工序中，采用CMP法研磨所述氧化膜和所述SiC基板時，所述氧化膜相對于所述SiC基板的加工速率比為10以上，并且，所述SiC基板的加工速率為0.1μm/小時以上。
6.根據權利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，所述SiC基板是進而在至少一個面上層疊有外延層的SiC基板。
7.根據權利要求1所述的SiC基板的制造方法，其特征在于，在所述氧化膜形成工序之前，還包括粗研磨工序，所述粗研磨工序采用機械式研磨法研磨SiC基板的表面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
