[發明專利]用于使用動態電場主要通過取代來處理水的裝置和方法

在審

• 申請號: 201380064131.X
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN104981433A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 奧弗·T·阿嫩森;達格·阿利爾德·瓦蘭德
• 申請（專利權）人: 奧弗·T·阿嫩森;達格·阿利爾德·瓦蘭德
• 主分類號: C02F1/46
• 分類號: C02F1/46;C02F1/42;C02F1/48;C02F5/00
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 林宏津;彭愿潔

1.一種離子反應器，包括：

一個或多個單元，每個單元包括一對電極，所述一對電極中至少一個具有金屬；

水流，包括多個帶正電荷離子和多個帶負電荷離子，所述水流流過所述一個或多個單元；和

電壓，其被施加到所述一對電極，以穿過所述水流產生電場，

其中所述多個帶正電荷離子中一個或多個由所述金屬的一個或多個帶正電荷離子取代。

2.根據權利要求1所述的離子反應器，其中所述多個帶負電荷離子中一個或多個與所述金屬的所述一個或多個帶正電荷離子反應以形成離子化合物。

3.根據權利要求2所述的離子反應器，其中任何剩余的多個帶正電荷粒子中一個或多個與所述多個帶負電荷粒子中另外的一個或多個反應以形成另一種離子化合物。

4.根據權利要求3所述的離子反應器，還包括隔板，其配置為將所述離子化合物和任何所述另一種離子化合物與所述水流分開。

5.根據權利要求1所述的離子反應器，其中所述電壓是交流電壓。

6.根據權利要求1所述的離子反應器，其中所述電壓由波形限定，且所述波形是正弦波、方波、梯形波和其任意組合中任意一個。

7.根據權利要求1所述的離子反應器，其中所述金屬是鎂、鋁和其任意組合中任意一個。

8.根據權利要求1所述的離子反應器，另外包括超聲波發射器以防止沉積層沿著所述一對電極堆積。

9.一種用于處理水的方法，包括：

提供具有多個帶正電荷離子和帶負電荷離子的水流；

使所述水流在第一電極與第二電極之間流動，所述第一電極和所述第二電極中至少一個包括金屬；

通過在所述第一電極和所述第二電極上施加電壓來在所述水流上產生電場；和

用所述金屬的一個或多個帶正電荷離子來取代所述多個帶正電荷離子中一個或多個。

10.根據權利要求9所述的方法，另外包括：使所述多個帶負電荷離子中一個或多個與所述金屬的所述一個或多個帶正電荷離子反應以形成離子化合物。

11.根據權利要求10所述的方法，另外包括：使任何剩余的多個帶正電荷離子中一個或多個與所述多個帶負電荷離子中另外的一個或多個反應以形成另一種離子化合物。

12.根據權利要求11所述的方法，另外包括：從所述水流去除所述離子化合物和任何所述另一種離子化合物。

13.根據權利要求9所述的方法，其中所述電壓是交流電壓。

14.根據權利要求9所述的方法，其中所述電壓由波形限定，且所述波形是正弦波、方波、梯形波和其任意組合中任意一個。

15.根據權利要求9所述的方法，其中所述金屬是鎂、鋁和其任意組合中任意一個。

16.一種用于處理水的系統，包括具有以下的反應器：

一個或多個單元，每個單元包括一對電極，所述一對電極中至少一個具有金屬；

水流，包括多個帶正電荷離子和多個帶負電荷離子，所述水流流過所述一個或多個單元；

和電壓，其被施加到所述一對電極，以穿過所述水流產生電場。

其中所述多個帶正電荷離子中一個或多個由所述金屬的一個或多個帶正電荷離子取代。

17.根據權利要求16所述的系統，其中所述多個帶負電荷離子中一個或多個與所述金屬的所述一個或多個帶正電荷離子反應以形成離子化合物。

18.根據權利要求17所述的系統，其中任何剩余的多個帶正電荷粒子中一個或多個與所述多個帶負電荷粒子中另外的一個或多個反應以形成另一種離子化合物。

19.根據權利要求18所述的系統，還包括隔板，其配置為將所述離子化合物和任何所述另一種離子化合物與所述水流分開。

20.根據權利要求16所述的系統，其中所述金屬是鎂、鋁和其任意組合中任意一個。