[發(fā)明專利]用于無線充電的電磁擴增器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380063905.7
• 申請日: 2013-10-04
• 公開（公告）號: CN104838455A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發(fā)明（設計）人: 玄淳瑩;裵碩;崔燉喆;金昭延;宋知姸;廉載勛;李南良;李亨儀
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01F10/06
• 分類號: H01F10/06;H02J17/00
• 代理公司: 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 許向彤;陳英俊

1.一種用于無線充電的電磁擴增器，包括：

磁片；以及

設置在所述磁片上的線圈部，

其中，所述磁片由位于邊緣部分處的第一磁片構(gòu)件和與所述第一磁片構(gòu)件在同一平面上并且與所述第一磁片構(gòu)件相鄰的第二磁片構(gòu)件組成，

其中，所述第一磁片構(gòu)件與所述第二磁片構(gòu)件彼此具有不同的導磁率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁擴增器，其中，所述第一磁片構(gòu)件和所述第二磁片構(gòu)件彼此接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁擴增器，其中，所述第一磁片構(gòu)件與所述第二磁片構(gòu)件彼此間隔開，在所述第一磁片構(gòu)件與所述第二磁片構(gòu)件之間形成有氣隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁擴增器，其中，所述線圈部設置在所述第一磁片構(gòu)件和所述第二磁片構(gòu)件各自的表面上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁擴增器，其中，與所述線圈部的形狀對應的凹部形成在所述磁片的表面上，在所述凹部的深度方向上所述線圈部部分地或完全地填充在所述凹部中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁擴增器，進一步包括在所述線圈部與所述磁片之間插入的粘合層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的電磁擴增器，其中，所述第一磁片構(gòu)件和所述第二磁片構(gòu)件具有相同或不同的高度或厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁擴增器，其中，所述磁片由含有磁性材料和粘結(jié)劑的磁性組合物制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電磁擴增器，其中，所述磁性材料是選自由Fe、Ni、Co、Mn、Al、Zn、Cu、Ba、Ti、Sn、Sr、P、B、N、C、W、Cr、Bi、Li、Y以及Cd，或鐵氧體構(gòu)成的組中的一種元素或兩種或兩種以上元素組合而成的合金。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電磁擴增器，其中，所述磁性材料為粒徑為3nm至50μm的粉末。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電磁擴增器，其中，所述粘結(jié)劑是選自由聚乙烯醇(PVA)樹脂、聚硅氧烷樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰亞胺樹脂和聚酰胺樹脂構(gòu)成的組中的一種樹脂或兩種或兩種以上的樹脂的混合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁擴增器，其中，所述線圈部由Ag、Au、Cu或Al制成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁擴增器，其中，所述線圈部具有5μm至1㎜的厚度或高度。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁擴增器，其中，所述線圈部具有5μm至500μm的節(jié)距。

15.一種用于無線充電的電磁擴增器的制造方法，所述電磁擴增器包括磁片和設置在所述磁片上的線圈部，所述方法包括：

形成所述磁片，所述磁片具有位于邊緣部分處的第一磁片構(gòu)件以及與所述第一磁片構(gòu)件位于同一平面上并且與所述第一磁片構(gòu)件相鄰的第二磁片構(gòu)件，所述第一磁片構(gòu)件與所述第二磁片構(gòu)件具有不同的導磁率。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進一步包括通過雕刻所述磁片的表面來形成具有與所述線圈部對應的形狀的凹部；以及在所述凹部中形成所述線圈部。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述雕刻通過使用以下方法來進行：激光曝光方法、在掩蔽之后的干蝕刻方法、或者在所述雕刻的對應區(qū)域與非對應區(qū)域之間具有壓差的階式滑輪形成方法。