[發(fā)明專利]用于有源矩陣顯示器的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380063528.7
• 申請(qǐng)日: 2013-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN104981917A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: Y·金;C·韓;J·李;B·劉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 韓國電子技術(shù)研究院;赫勞斯德國有限兩和公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56;G09F9/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 牛南輝;楊曉光

1.一種有源矩陣顯示器的像素結(jié)構(gòu)，包括：

基礎(chǔ)襯底；

在所述基礎(chǔ)襯底上以矩陣的形式布置的多個(gè)像素電路電極；

形成在所述基礎(chǔ)襯底上以覆蓋所述多個(gè)像素電路電極的邊緣的絕緣層；以及

被整體形成以覆蓋所述多個(gè)像素電路電極和所述絕緣層的復(fù)合層，其中所述復(fù)合層包括被分別連接到在所述絕緣層中暴露的所述多個(gè)像素電路電極的導(dǎo)電像素電極和圍繞所述像素電極設(shè)置的非導(dǎo)電像素限定層。

2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其中基于導(dǎo)電聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDT/PSS)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)形成所述復(fù)合層，通過改變所述導(dǎo)電PEDT/PSS或PEDOT/PSS的電阻特性形成所述像素限定層，且所述像素電極由剩余的導(dǎo)電PEDT/PSS或PEDOT/PSS形成。

3.如權(quán)利要求2所述的有源矩陣顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其中所述像素電極和所述像素限定層被形成為共面的。

4.一種形成有源矩陣顯示器的像素結(jié)構(gòu)的方法，包括：

提供基礎(chǔ)襯底，所述基礎(chǔ)襯底包括被形成在其上表面上的多個(gè)像素電路電極和絕緣層；以及

形成整體的復(fù)合層以覆蓋所述多個(gè)像素電路電極和所述絕緣層，其中所述復(fù)合層包括分別連接到由所述絕緣層暴露的所述多個(gè)像素電路電極的導(dǎo)電像素電極和圍繞所述像素電極設(shè)置的非導(dǎo)電像素限定層。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述復(fù)合層的所述形成包括：

形成被配置為覆蓋所述多個(gè)像素電路電極和所述絕緣層的導(dǎo)電聚合物層；

在所述導(dǎo)電聚合物層上形成光致抗蝕劑膜；

通過移除在所述導(dǎo)電聚合物層中的將要成為所述像素限定層的部分上的所述光致抗蝕劑膜形成開口；

通過改變由所述開口暴露的所述導(dǎo)電聚合物層的部分的電阻特性形成所述非導(dǎo)電像素限定層；

移除所述光致抗蝕劑膜。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中當(dāng)形成所述非導(dǎo)電像素限定層時(shí)，在所述導(dǎo)電聚合物層中的由所述光致抗蝕劑膜覆蓋的部分被所述像素限定層限定為所述像素電極。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中基于導(dǎo)電聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDT/PSS)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)形成所述復(fù)合層，通過改變所述導(dǎo)電PEDT/PSS或PEDOT/PSS的電阻特性形成所述像素限定層，且所述像素電極由剩余的導(dǎo)電PEDT/PSS或PEDOT/PSS形成。

8.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述像素電極和所述像素限定層被形成為共面的。