[發明專利]具有改進形態的ZSM-58晶體的合成

有效

• 申請號: 201380063451.3
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN104822628A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: I·D·約翰遜;N·A·赫利岑科;B·卡斯滕森;M·M·W·梅爾騰斯;B·恩格斯
• 申請（專利權）人: 埃克森美孚研究工程公司
• 主分類號: C01B39/48
• 分類號: C01B39/48;C01B37/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 唐秀玲;林柏楠

1.包含具有圓盤形態的ZSM-58晶體的組合物，所述晶體具有1.1或更小的軸比，軸比為頂點-頂點距離與邊-邊距離的比，深度尺寸小于頂點-頂點距離和邊-邊距離，ZSM-58晶體具有單峰體積相對于晶體尺寸分布，其中小于10體積％的ZSM-58晶體具有約5μm或更小的特征尺寸，ZSM-58晶體具有至少約90％的純度。

2.根據權利要求1的組合物，其中單峰體積相對于晶體尺寸分布中的峰的晶體尺寸為約15μm至約40μm，且具有1μm組寬的體積相對于晶體尺寸圖中的峰高為至少約10體積百分比。

3.根據權利要求1或權利要求2的組合物，其中單峰體積相對于晶體尺寸分布進一步包含體積相對于晶體尺寸分布，其中在對應于峰高度的一半的體積處的晶體尺寸之間的差為大約該峰的晶體尺寸或者更小。

4.根據權利要求1-3中任一項的組合物，其中深度尺寸與邊-邊距離的比為約0.9或更小。

5.合成DDR骨架型沸石的方法，其包括：

形成能夠形成結晶DDR骨架型材料如ZSM-58的反應混合物，所述混合物包含水、氧化硅(優選SiO₂)、堿或堿土氫氧化物和甲基托品鹽結構導向劑，混合物具有約12至約25，優選約12至約20的水:氧化硅摩爾比，約0.01至約1.0的氫氧化物:氧化硅摩爾比，約0.01至約1.0的堿和堿土金屬:氧化硅摩爾比，約0.01至約2.0的結構導向劑:氧化硅摩爾比，以及相對于混合物中氧化硅的重量為至少約0.05重量％的晶種，優選約1.0重量％或更少的晶種；和

回收DDR骨架型晶體(例如ZSM-58晶體)，所述晶體具有1.1或更小的軸比，軸比為頂點-頂點距離與邊-邊距離的比，深度尺寸小于頂點-頂點距離和邊-邊距離，結構導向劑優選包含甲基托品氯化物或者為甲基托品氯化物。

6.根據權利要求5的方法，其中DDR骨架型晶體具有單峰體積相對于晶體尺寸分布，其中小于10體積百分比的DDR骨架型晶體具有約5μm或更小的特征尺寸，體積相對于晶體尺寸分布中的峰的晶體尺寸為約15μm至約40μm，且具有1μm組寬的體積相對于晶體尺寸圖中的峰高為至少約10體積百分比。

7.根據權利要求5或權利要求6的方法，其中單峰體積相對于晶體尺寸分布進一步包含體積相對于晶體尺寸分布，其中在對應于峰高度的一半的體積處的晶體尺寸之間的差為大約該峰的晶體尺寸或者更小。

8.根據權利要求5-7中任一項的方法，其中反應混合物進一步包含基于反應混合物中二氧化硅的重量為約0.05重量％至約5.0重量％的晶種。

9.根據權利要求5-8中任一項的方法，其中反應混合物進一步包含氧化鋁來源。

10.根據權利要求5-9中任一項的方法，其中軸比為1.05或更小。

11.根據權利要求5-10中任一項的方法，其中深度尺寸與邊-邊距離的比為約0.9或更小。

12.根據權利要求5-11中任一項的方法，其中反應混合物在形成DDR骨架型晶體期間保持在約120℃至約175℃的溫度下。