[發(fā)明專利]用于制備內(nèi)含層的方法和材料以及由其制成的設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380063207.7 | 申請日: | 2013-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN104838513A | 公開(公告)日: | 2015-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | A·費尼莫爾;D·康達考弗;S·麥凱拉;F·查特 | 申請(專利權(quán))人: | E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 樊云飛;江磊 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制備 內(nèi)含 方法 材料 以及 制成 設(shè)備 | ||
1.一種用于在第一層之上形成內(nèi)含的第二層的方法,所述方法包括:
形成包含氟化材料和光引發(fā)劑的第一層,所述第一層具有第一表面能;
用底漆層處理所述第一層,所述底漆層基本上由芳族胺化合物組成;
使所述底漆層以圖案形式暴露于活性輻射,產(chǎn)生暴露區(qū)域和未暴露區(qū)域;
使所述底漆層顯影以從所述未暴露區(qū)域有效地除去所述底漆層,產(chǎn)生其上具有圖案化底漆層的第一層,其中所述圖案化底漆層具有高于所述第一表面能的第二表面能;以及
通過液相沉積在所述第一層上的圖案化底漆層上形成第二層。
2.一種用于制備有機電子設(shè)備的方法,所述設(shè)備包括其上具有電極、第一有機活性層和第二有機活性層的載體,所述方法包括:
在所述電極之上形成所述第一有機活性層,所述第一有機活性層包含氟化材料和光引發(fā)劑,并且所述第一有機活性層具有第一表面能;
用基本上由芳族胺化合物組成的底漆層處理所述第一有機活性層;
使所述底漆層以圖案形式暴露于活性輻射,產(chǎn)生暴露區(qū)域和未暴露區(qū)域;
使所述底漆層顯影以從所述未暴露區(qū)域有效地除去所述底漆層,產(chǎn)生具有圖案化底漆層的第一層,其中所述圖案化底漆層具有高于所述第一表面能的第二表面能;以及
通過液相沉積在所述第一有機活性層上的底漆層的圖案上形成第二有機活性層。
3.一種用于在第一層之上形成內(nèi)含的第二層的方法,所述方法包括:
形成包含氟化材料的第一層,所述第一層具有第一表面能;
在所述第一層上形成中間層,所述中間層包含光引發(fā)劑;
在所述中間層上形成基本上由芳族胺化合物組成的底漆層;
使所述底漆層以圖案形式暴露于活性輻射,產(chǎn)生暴露區(qū)域和未暴露區(qū)域;
使所述底漆層顯影以從所述未暴露區(qū)域有效地除去所述底漆層和所述中間層,產(chǎn)生其上具有圖案化底漆層的第一層,其中所述圖案化底漆層具有高于所述第一表面能的第二表面能;以及
通過液相沉積在所述第一層上的圖案化底漆層上形成第二層。
4.一種用于制備有機電子設(shè)備的方法,所述設(shè)備包括其上具有電極、第一有機活性層和第二有機活性層的載體,所述方法包括:
在所述電極之上形成第一有機活性層,所述第一有機活性層包含氟化材料,并且所述第一有機活性層具有第一表面能;
在所述第一有機活性層上形成中間層,所述中間層基本上由光引發(fā)劑組成;
在所述中間層上形成基本上由芳族胺化合物組成的底漆層;
使所述底漆層以圖案形式暴露于活性輻射,產(chǎn)生暴露區(qū)域和未暴露區(qū)域;
使所述底漆層顯影以有效地從所述未暴露區(qū)域中除去所述底漆層和所述中間層,產(chǎn)生具有圖案化底漆層的第一層,其中所述圖案化底漆層具有高于所述第一表面能的第二表面能;以及
通過液相沉積在所述第一有機活性層上的底漆層的圖案上形成第二有機活性層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法,其中所述光引發(fā)劑為光酸發(fā)生劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法,其中所述光引發(fā)劑為自由基產(chǎn)生劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的方法,其中所述光引發(fā)劑為鹽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的方法,其中所述活性輻射具有大于300nm的波長。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





