[發明專利]部分頁面存儲器操作

在審

• 申請號: 201380062847.6
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN104903964A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 邁克爾·亞伯拉罕;田中智晴;河合鉱一;永長祐一
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

優先權申請案

本申請案主張2012年10月26日申請的第13/661,321號的美國申請案的優先權利，所述申請案是以引用方式全部并入本文中。

對相關申請案的交叉參考

本申請案可能關于2011年8月15日申請的名稱為“包含源極柵極的設備和方法(APPARATUS?AND?METHODS?INCLUDING?SOURCE?GATES)”的第13/210,194號美國專利申請案。本申請案還可能關于2012年8月1日申請的名稱為“部分塊存儲器操作(PARTIAL?BLOCK?MEMORY?OPERATIONS)”的第13/564,458號美國專利申請案。

背景技術

存儲器裝置(例如非與(NAND)或非或(NOR)存儲器)的存儲器塊可包括共享相同組存取線的存儲器單元串的群組。可將存儲器塊分組到多個頁面中，且(例如)取決于存儲器單元是否為單電平單元(SLC)或多電平單元(MLC)，每一頁面可包括對應于串群組中的每一者的相應層的至少一部分的存儲器單元的全部或子集。

在現有半導體存儲器技術下，可在全部存儲器塊(例如如果存儲器操作是擦除)上或在存儲器塊內的全部(所選)頁面(例如如果所述存儲器操作是編程、讀取或驗證)上執行存儲器操作。因此，隨著頁面大小變大，可增大數據線擺動或頁面緩沖器翻轉期間所使用的功率，使得當讀取、編程、擦除或驗證相對較小量(例如四(4)千字節(KB))的數據時，可消耗相對較大量的功率。與SBL(屏蔽位線)架構相比，當使用ABL(全位線)架構時，可加強此傾向。因此，隨著(單一)存儲器塊或頁面的大小增大，如在三維(3D)存儲器裝置的情況下，因為在其上同時執行存儲器操作的存儲器塊或頁面中的存儲器單元的數目也增大，所以當執行存儲器操作時，電流消耗或寄生電流泄漏增大。此可導致需要供應具有額外或替代電源的存儲器裝置以支持大量電流消耗或寄生泄漏。

此外，可操作地(例如)經由存儲器控制器與根據現有科技形成的存儲器裝置通信的主機可處理小于存儲器裝置的頁面大小的單位的數據。因此，在編程之前，常規存儲器裝置可需要將全部頁面數據填入頁面緩沖器中。

例如，當存儲器裝置包括NAND存儲器時，主機可處理四(4)千字節(KB)單位的數據，而NAND存儲器的頁面大小是十六(16)KB。在此情況下，主機可經由頁面緩沖器依四(4)KB單位將數據傳輸到控制NAND存儲器的存儲器控制器或從存儲器控制器接收數據，而存儲器控制器依十六(16)KB單位將數據傳輸到NAND存儲器或從NAND存儲器接收數據。因此，在將從主機接收的數據編程到NAND存儲器之前，存儲器控制器可需要等待且封裝從主機接收的數據直到(所接收)數據的總大小成為十六(16)KB為止。如果未填充相關頁面的一些部分，那么在無需首先擦除全部塊以移除塊中的全部經編程的數據的情況下未填充部分稍后無法被編程。此可導致非所需性能，例如更慢編程速度及更高電流消耗或寄生電流泄漏(如上文所描述)，等等。

附圖說明

圖1展示根據各種實施例的具有具備存儲器單元的存儲器陣列的存儲器裝置的方框圖。

圖2展示根據各種實施例的依3D?NAND存儲器裝置的形式的圖1的存儲器陣列的示意圖。

圖3展示根據各種實施例的沿X-X'方向的圖2的3D?NAND存儲器裝置的橫截面圖。

圖4展示根據各種實施例的沿Y-Y'方向的圖2的3D?NAND存儲器裝置的橫截面圖。

圖5展示根據各種實施例的圖2的3D?NAND存儲器裝置的俯視圖。

圖6展示根據各種實施例的用于列地址與依瓦片群組的形式的部分頁面之間的映射的實例電路。

圖7展示根據各種實施例的用于列地址與依瓦片群組集的形式的部分頁面之間的映射的實例方案。

圖8展示根據各種實施例的說明在頁面上執行編程操作的方法的流程圖。

圖9展示根據各種實施例的說明在頁面上執行存儲器操作的方法的流程圖。

圖10展示根據各種實施例的說明在頁面上執行存儲器操作的方法的流程圖。

具體實施方式