[發明專利]測量用于運送及在大氣壓下存儲半導體基材的運送腔室的顆粒污染的站及方法

有效

• 申請號: 201380062199.4
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN104823271A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: C·托威克斯;B·貝萊;N·沙佩爾
• 申請（專利權）人: 阿迪克森真空產品公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種測量用于運送及在大氣壓下存儲半導體基材的運送載具的顆粒污染的測量站，所述運送載具包含剛性外殼(2)，所述剛性外殼包含孔口及可去除的門(3)以允許所述孔口被關閉，所述測量站包含：

受控環境腔室(4)，其包含至少一個載入端口(8)，所述載入端口能夠一方面耦合至所述剛性外殼(2)且另一方面耦合至所述運送載具的所述門(3)，用以將所述門(3)移入所述受控環境腔室內(4)；及

測量模塊(5)，其包含顆粒測量單元(14)，

其特征在于所述測量模塊(5)包含：

-外殼-測量接口(16)，其被配置為在所述門(3)的位置處耦合至被耦合至所述受控環境腔室(4)的所述剛性外殼(2)，從而限定第一測量體積(V1)，所述外殼-測量接口(16)包含至少一個注入噴嘴(20)及連接至所述顆粒測量單元(14)的第一取樣口(12)；以及

-中空的門-測量接口(21)，其被配置為耦合至所述門(3)，從而限定在所述測量模塊(5)的測量面(22)和相對的門(3)之間的第二測量體積(V2)，所述測量面(22)包含至少一個注入噴嘴(23)及連接至所述顆粒測量單元(14)的第二取樣口(24)。

2.如權利要求1所述的測量站，其特征在于，所述中空的門-測量接口(21)具有通常地框狀形狀。

3.如權利要求1或2所述的測量站，其特征在于，所述門(3)能夠在在所述中空的門-測量接口(21)的方向上被移動。

4.如權利要求1至3中的一項所述的測量站，其特征在于，所述測量模塊(5)包含模塊移動機構(15；26)，其被配置為在停置位置和所述被耦合的剛性外殼(2)內的測量位置之間移動所述外殼-測量接口(16)。

5.如權利要求3和4所述的測量站，其特征在于，所述外殼-測量接口(16)和所述中空的門-測量接口(21)被背靠背地設置，并且在于所述外殼-測量接口(16)能夠被平移至所述被耦合的剛性外殼(2)內，以及在于所述門(3)能夠被在所述中空的門-測量接口(21)的方向上平移。

6.如上述權利要求的一項所述的測量站，其特征在于，所述顆粒測量單元(14)的取樣管路(19)包含包括閥的裝置(29a，29b)，用以選擇性地在所述第一及第二取樣口(12，24)之間切換。

7.如上述權利要求的一項所述的測量站，其特征在于，所述外殼-測量接口(16)包含至少兩個注入噴嘴(20)，其被配置為將氣體噴流導引到被耦合至所述受控環境腔室(4)的所述剛性外殼(2)的至少兩個分開的位置上，所述注入噴嘴(20)的各自取向被相對于所述被耦合的剛性外殼(2)而固定。

8.如上述權利要求的任一項所述的測量站，其特征在于，所述外殼-測量接口(16)包含測量頭(13)，所述測量頭從所述外殼-測量接口(16)的基部而伸出。

9.如權利要求8所述的測量站，其特征在于，所述測量頭(13)具有通常地平行六面體形狀，并且在于從所述外殼-測量接口(16)的所基部而伸出的所述測量頭(13)的五個面中的每一面包含至少一個注入噴嘴(20)。

10.如權利要求6至8中的一項所述的測量站，其特征在于，所述測量站包含處理單元(27)，所述處理單元被配置為控制所述氣體至所述注入噴嘴(20，23)內的選擇性注入。

11.一種在如權利要求1至10中的一項所述的測量站內實施的用于測量運送及在大氣壓力下存儲半導體基材的運送載具的顆粒污染的方法，其特征在于所述測量方法包含：

-將所述測量模塊(5)耦合至所述剛性外殼(2)的步驟，從而限定在所述外殼-測量接口(16)和所述被耦合的剛性外殼(2)之間的第一測量體積(V1)，用以測量所述剛性外殼(2)的內壁的污染；以及

-將所述門(3)耦合至所述測量模塊(5)的步驟，從而限定在所述測量面(22)和相對的門(3)之間的第二測量體積(V2)，用以測量所述門(3)的污染。

12.如權利要求11所述的測量方法，其特征在于，第一間隙被留在所述外殼-測量接口(16)和被耦合至所述外殼-測量接口(16)的所述剛性外殼(2)之間，被注入到所述注入噴嘴(20)內的所述氣體噴流被參數化，用以產生經由所述第一間隙被朝向所述剛性外殼(2)的外部導引的滲漏氣流，，并且在于第二間隙被留在所述中空的門-測量接口(21)和被耦合至所述中空的門-測量接口(21)的所述剛性外殼(2)之間，被注入到所述注入噴嘴(23)內的所述氣體噴流被參數化，以產生經由所述第二間隙被朝向所述中空的門-測量接口(21)的外部導引的滲漏氣流。