[發(fā)明專利]用于改善的連續(xù)直拉法的熱屏障

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201380062196.0
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN104903496A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發(fā)明（設計）人: T·N·斯瓦米納坦
• 申請（專利權）人: 索拉克斯有限公司
• 主分類號: C30B15/12
• 分類號: C30B15/12;C30B15/14
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 秘鳳華;吳鵬

1.一種用于通過直拉法生長晶錠的設備，所述晶錠在由晶體進料予以補充的一定量的熔融硅中從熔體/晶體界面被拉出，所述設備包括：

構造成保持所述熔融硅的坩堝；

支承在所述坩堝中的窯坎，所述窯坎構造成將所述熔融硅從構造為接納所述晶體進料的外部區(qū)分離到圍繞所述晶體/熔體界面的內部生長區(qū)中，所述窯坎包括至少一個豎直延伸的側壁，以及頂壁；和

設置在所述窯坎的所述頂壁上的環(huán)形熱屏障，所述環(huán)形熱屏障覆蓋所述外部區(qū)的至少約70％。

2.根據(jù)權利要求1所述的設備，其特征在于，所述環(huán)形熱屏障覆蓋所述外部區(qū)的至少90％。

3.根據(jù)權利要求1所述的設備，其特征在于，所述環(huán)形熱屏障由硅石制成。

4.根據(jù)權利要求1所述的設備，其特征在于，所述熱屏障基本是平面的。

5.根據(jù)權利要求1所述的設備，其特征在于，所述熱屏障為圓柱形。

6.根據(jù)權利要求1所述的設備，其特征在于，所述熱屏障包括用于進料從中通過的開口。

7.根據(jù)權利要求1所述的設備，其特征在于，所述熱屏障基本垂直于所述窯坎的側壁延伸。

8.一種用于通過直拉法生長晶錠的設備，所述晶錠在由晶體進料予以補充的一定量的熔融硅中從熔體/晶體界面被拉出，所述設備包括：

構造成保持所述熔融硅的坩堝；

用于供應所述晶體進料的進給供應源；

至少兩個窯坎，所述至少兩個窯坎支承在所述坩堝中，并且構造成將所述熔融硅分離到圍繞所述晶體/熔體界面的內部生長區(qū)、構造為接納所述晶體進料的外部區(qū)以及位于所述內部生長區(qū)和所述外部區(qū)之間的中間區(qū)中，每個所述窯坎都包括至少一個豎直延伸的側壁；

設置在至少其中一個窯坎的頂部上的環(huán)形熱屏障，所述至少一個熱屏障覆蓋所述外部區(qū)或所述中間區(qū)中的一個的至少一部分。

9.根據(jù)權利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括至少兩個熱屏障，其中一個熱屏障覆蓋所述中間區(qū)的至少一部分，另一個熱屏障覆蓋所述外部區(qū)的至少一部分。

10.根據(jù)權利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，覆蓋所述外部區(qū)的熱屏障包括一個或多個用于所述進料從中通過的開口。

11.根據(jù)權利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述至少兩個窯坎基本是平面的。

12.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述至少兩個窯坎基本垂直于窯坎的側壁延伸。

13.根據(jù)權利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述熱屏障由硅石制成。

14.一種用于連續(xù)直拉晶體生長的方法，其中，將一個或多個晶錠從限定在坩堝中的晶體/熔體界面拉到生長室內，所述坩堝容納由晶體進料予以補充的熔融晶體材料，所述方法包括：

利用窯坎將所述熔融晶體材料分離到圍繞所述晶體/熔體界面的內部生長區(qū)和用于接納所述晶體進料的外部區(qū)中；

將環(huán)形熱屏障設置在所述外部區(qū)上方，以覆蓋所述外部區(qū)的至少一部分。

15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其特征在于，還包括將第二窯坎設置在所述坩堝中，以便在所述內部生長區(qū)和所述外部區(qū)之間限定中間區(qū)。

16.根據(jù)權利要求14所述的方法，其特征在于，還包括將環(huán)形熱屏蔽設置在所述外部區(qū)上方，以使得所述熱屏障垂直于所述窯坎。

17.根據(jù)權利要求14所述的方法，其特征在于，還包括使進料通過限定在熱屏障中的開口，以補充熔融硅。

18.根據(jù)權利要求14所述的方法，其特征在于，還包括將第二窯坎設置在所述坩堝中，以便在所述內部生長區(qū)和所述外部區(qū)之間限定中間區(qū)；以及

設置至少兩個熱屏障，以使得其中一個熱屏障覆蓋所述中間區(qū)，并且另一個熱屏障覆蓋所述外部區(qū)。