[發明專利]晶片劃切裝置和晶片劃切方法

有效

• 申請號: 201380061901.5
• 申請日: 2013-12-17
• 公開（公告）號: CN104838483B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 王中柯
• 申請（專利權）人: 新加坡科技研究局
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;劉錚

1.一種晶片劃切裝置，包括：

格柵，包括帶窗的框以及延伸穿過所述窗的交替式肋狀件和狹槽布置，其中一個狹槽位于兩個相鄰的肋狀件之間，所述格柵用于支承所述交替式肋狀件和狹槽布置上的晶片；

真空吸力單元，與所述格柵流體連通，所述真空吸力單元用于通過所述格柵的至少一個所述狹槽抽吸空氣；以及

切割器，用于劃切所述晶片，其中所述格柵、所述切割器或兩者全部配置為將所述晶片對準成沿所述格柵的所述肋狀件進行劃切。

2.根據權利要求1所述的晶片劃切裝置，還包括多孔吸盤，其中所述格柵設置在所述吸盤的面朝所述切割器的表面上。

3.根據權利要求2所述的晶片劃切裝置，其中所述格柵制造在所述多孔吸盤的所述表面上。

4.根據權利要求1或2所述的晶片劃切裝置，其中所述格柵由以下材料中的任一種或多種制成：不銹鋼、鋁合金或其他金屬或陶瓷。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述交替式肋狀件和狹槽布置的所述狹槽的一部分的深度延伸了所述格柵的厚度。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述交替式肋狀件和狹槽布置的所述狹槽的一部分包括溝，每個所述溝由其深度包含在所述格柵的厚度內的狹槽形成。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述交替式肋狀件和狹槽布置的每個所述狹槽呈矩形或曲線形。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述交替式肋狀件和狹槽布置的每個所述狹槽的橫截面呈以下形狀中的任一個：V型槽或U型槽。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述交替式肋狀件和狹槽布置的每個所述肋狀件的寬度由所述晶片的管芯尺寸確定。

10.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述交替式肋狀件和狹槽布置的每個所述肋狀件的寬度為1mm至2mm。

11.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述交替式肋狀件和狹槽布置的每個所述狹槽的寬度為2mm至3mm。

12.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述格柵的厚度為100μm至500μm。

13.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述格柵、所述切割器或兩者全部配置為將所述晶片對準成沿所述格柵的所述肋狀件的中心縱向長度進行劃切。

14.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述格柵、所述切割器或兩者全部還配置為：

將所述晶片對準成在相對于所述格柵的所述肋狀件未對準的方向進行劃切，以產生在第一定向的切割；以及

旋轉所述晶片，以將所述晶片對準成沿所述格柵的所述肋狀件進行劃切，從而產生在第二定向的切割。

15.根據權利要求14所述的晶片劃切裝置，其中所述第一定向與所述第二定向之間的旋轉角度達90°。

16.根據權利要求1至3中任一項所述的晶片劃切裝置，其中所述切割器包括以下設備中的任一個或多個：鋸或激光。