[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201380061890.0
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN104798198A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: T.法伊希廷格;F.林納
• 申請（專利權）人: 埃普科斯股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/34;H01L33/64
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 朱君;劉春元

1.一種半導體裝置，其具有

-半導體構件（7），

-載體本體（14），在所述載體本體上裝配所述半導體構件（7）并且所述載體本體具有陶瓷本體（4）和集成在所述載體本體（14）中、與所述陶瓷本體（4）直接連接的熱敏電阻傳感器結構（3），以及

-散熱件（1），在所述散熱件上裝配所述載體本體（14），

在所述半導體裝置中，

在所述半導體構件（7）和所述散熱件（1）之間的散熱線路（15）中布置兩個熱敏電阻傳感器結構，其中一個熱敏電阻傳感器結構布置在所述載體本體（14）的面向所述半導體構件（7）的側上，另一個熱敏電阻傳感器結構布置在所述載體本體（14）的背離所述半導體構件（7）的側上，以及

所述陶瓷本體（4）與所述兩個熱敏電阻傳感器結構被形成為一體式的陶瓷部分。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中在運行中在所述半導體構件（7）和所述熱敏電阻傳感器結構（3）之間的溫度差小于3K/W。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述熱敏電阻傳感器結構（3）布置在所述散熱線路（15）中。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述陶瓷本體（4）具有大于50000 Ohm·cm的電阻率。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述集成的熱敏電阻傳感器結構（3）具有小于5000 Ohm·cm的電阻率。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述集成的熱敏電阻傳感器結構（3）構造為NTC熱敏電阻。

7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述散熱件（1）構造為金屬散熱件。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述載體本體（14）直接裝配在所述散熱件（1）上。

9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述載體本體（14）具有接觸結構（6），所述半導體構件（7）經由所述接觸結構裝配在所述載體本體（14）上。

10.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述載體本體（14）具有用于將所述半導體構件（7）重布線以及用于電連接所述半導體構件（7）的金屬結構（8）。

11.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述載體本體（14）在所述熱敏電阻傳感器結構（3）和所述半導體構件（7）之間具有絕緣層（5）。

12.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述載體本體（14）具有熱通路（11），所述熱通路穿過所述陶瓷本體（4）突出并且與集成的熱敏電阻傳感器結構熱接觸。

13.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中在所述散熱件（1）上施加多個載體本體（14），所述載體本體具有分別在其上裝配的半導體構件（7）。

14.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中此外在所述散熱件（1）上布置分立的保護構件（10）。

15.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述半導體構件（7）是從發光二極管、圖形芯片、放大器芯片和晶體管中選出的功率半導體構件。

16.一種半導體裝置，其具有

-半導體構件（7），

-載體本體（14），在所述載體本體上裝配所述半導體構件（7）并且所述載體本體具有陶瓷本體（4）和集成在所述載體本體（14）中、與所述陶瓷本體（4）直接連接的熱敏電阻傳感器結構（3），以及

-散熱件（1），在所述散熱件上裝配所述載體本體（14），

在所述半導體裝置中，

在所述熱敏電阻傳感器結構（3）與所述半導體構件（7）之間布置反射性的絕緣層，以及

所述陶瓷本體（4）與所述熱敏電阻傳感器結構被形成為一體式的陶瓷部分。