[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

在審

• 申請號: 201380061435.0
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN104823268A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: 花島建夫;王杰;野田孝曉
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;C23C16/455;H01L21/31
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種半導體器件的制造方法，包括通過進行規定次數的包括如下工序的循環而在襯底上形成膜的工序，所述循環包括如下工序：

對處理室內的所述襯底供給原料氣體；

將殘留于所述處理室內的所述原料氣體排出；

對所述處理室內的所述襯底供給反應氣體；

將殘留于所述處理室內的所述反應氣體排出，

在供給所述原料氣體的工序中，在實質上停止了所述處理室內的排氣的狀態下，向所述處理室內供給所述原料氣體，其后，在實質上停止了所述處理室內的排氣及所述原料氣體的供給的狀態下，向所述處理室內供給惰性氣體。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料氣體的工序中，使所述處理室內的壓力比供給所述反應氣體的工序中的所述處理室內的壓力高。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料氣體的工序中，使所述處理室內的壓力比將所述原料氣體排出的工序、供給所述反應氣體的工序及將所述反應氣體排出的工序中的所述處理室內的壓力高。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料氣體的工序中，停止所述處理室內的排氣，或者，以供給到所述處理室內的氣體自所述處理室內排出的排氣速率小于向所述處理室內供給的氣體的供給速率的方式對所述處理室內稍微排氣。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料氣體的工序中，維持停止了所述處理室內的排氣的狀態。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在將所述原料氣體排出的工序中，使殘留于所述處理室內的所述原料氣體自排氣管排出，

在供給所述原料氣體的工序中，維持將設于所述排氣管的排氣閥實質上關閉的狀態。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料氣體的工序中，將所述排氣閥關閉，或者，以供給到所述處理室內的氣體自所述處理室內排出的排氣速率小于向所述處理室內供給的氣體的供給速率的方式將所述排氣閥稍微打開。

8.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料氣體的工序中，維持將所述排氣閥關閉的狀態。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在向所述處理室內供給所述原料氣體時也向所述處理室內供給惰性氣體，

在實質上停止了所述處理室內的排氣及所述原料氣體的供給的狀態下向所述處理室內供給的所述惰性氣體的流量，大于在向所述處理室內供給所述原料氣體時向所述處理室內供給的所述惰性氣體的流量。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述原料氣體含有氨基。

11.一種襯底處理裝置，包括：

收納襯底的處理室；

向所述處理室內供給原料氣體的原料氣體供給系統；

向所述處理室內供給反應氣體的反應氣體供給系統；

向所述處理室內供給惰性氣體的惰性氣體供給系統；

對所述處理室內進行排氣的排氣系統；以及

控制部，其被構成為以如下方式控制所述原料氣體供給系統、所述反應氣體供給系統、所述惰性氣體供給系統及所述排氣系統：進行通過進行規定次數的包括如下處理的循環而在所述襯底上形成膜的處理，所述循環包括如下處理：對所述處理室內的襯底供給所述原料氣體；將殘留于所述處理室內的所述原料氣體排出；對所述處理室內的所述襯底供給所述反應氣體；將殘留于所述處理室內的所述反應氣體排出，

在供給所述原料氣體的處理中，在實質上停止了所述處理室內的排氣的狀態下，向所述處理室內供給所述原料氣體，其后，在實質上停止了所述處理室內的排氣及所述原料氣體的供給的狀態下，向所述處理室內供給所述惰性氣體。

12.一種計算機可讀取的記錄介質，記錄有如下程序，所述程序使計算機執行通過進行規定次數的包括如下步驟的循環而在襯底上形成膜的步驟，所述循環包括如下步驟：對所述處理室內的所述襯底供給原料氣體；將殘留于所述處理室內的所述原料氣體排出；對所述處理室內的所述襯底供給反應氣體；將殘留于所述處理室內的所述反應氣體排出，

在供給所述原料氣體的步驟中，在實質上停止了所述處理室內的排氣的狀態下，向所述處理室內供給所述原料氣體，其后，在實質上停止了所述處理室內的排氣及所述原料氣體的供給的狀態下，向所述處理室內供給惰性氣體。