[發明專利]薄膜形成方法

在審

• 申請號: 201380061391.1
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN104812717A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 關淳志;西田航;廣松邦明
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: C03C17/245
• 分類號: C03C17/245;C23C16/42;C23C16/44;H01L31/0392;H02S40/22
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 金明花;劉多益

1.一種SiO₂薄膜的形成方法，它是一種使用在線常壓CVD法在玻璃基板上形成SiO₂薄膜的方法，其特征在于，作為原料氣體供給方式，使用分別供給作為主原料氣體的含有甲硅烷SiH₄的操作氣體1和作為副原料氣體的含有氧O₂的操作氣體2，使所述操作氣體1、2在玻璃基板上混合的后混合方式的原料供給裝置；所述甲硅烷SiH₄的每單位寬度的流量為1.0NL/分鐘·米以上，所述操作氣體1以與甲硅烷SiH₄的濃度比C₂H₄(摩爾％)/SiH₄(摩爾％)在3.2以下的量的條件含有乙烯C₂H₄。

2.如權利要求1所述的SiO₂薄膜的形成方法，其特征在于，所述操作氣體1以與甲硅烷SiH₄的濃度比C₂H₄(摩爾％)/SiH₄(摩爾％)為0.2～3.2的量的條件含有乙烯C₂H₄。

3.如權利要求1所述的SiO₂薄膜的形成方法，其特征在于，所述操作氣體1以與甲硅烷SiH₄的濃度比C₂H₄(摩爾％)/SiH₄(摩爾％)為0.5～3.2的量的條件含有乙烯C₂H₄。

4.如權利要求1～3中任一項所述的SiO₂薄膜的形成方法，其特征在于，所述甲硅烷SiH₄的每單位寬度的流量為1.5NL/分鐘·米以上。

5.如權利要求1～4中任一項所述的SiO₂薄膜的形成方法，其特征在于，所述操作氣體1為甲硅烷SiH₄、乙烯C₂H₄以及惰性氣體的混合氣體，所述操作氣體1中的甲硅烷SiH₄的濃度為0.2～2摩爾％。

6.如權利要求1～4中任一項所述的SiO₂薄膜的形成方法，其特征在于，所述操作氣體1為甲硅烷SiH₄、乙烯C₂H₄以及惰性氣體的混合氣體，所述操作氣體1中的甲硅烷SiH₄的濃度為0.6～1.75摩爾％。

7.如權利要求1～5中任一項所述的SiO₂薄膜的形成方法，其特征在于，所述操作氣體1為甲硅烷SiH₄、乙烯C₂H₄以及惰性氣體的混合氣體，所述操作氣體1中的甲硅烷SiH₄的濃度為0.6～1.5摩爾％。

8.如權利要求1～7中任一項所述的SiO₂薄膜的形成方法，其特征在于，所述操作氣體1中的甲硅烷SiH₄和所述操作氣體2中的氧O₂的摩爾比O₂/SiH₄為5以上。

9.如權利要求1～8中任一項所述的SiO₂薄膜的形成方法，其特征在于，所述SiO₂薄膜的成膜速度為425nn·m/分鐘以上。