[發(fā)明專利]電接觸構(gòu)件和檢查用連接裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380061292.3 | 申請日： | 2013-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN104871010A | 公開（公告）日： | 2015-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 平野貴之;川上信之 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社神戶制鋼所 |
| 主分類號： | G01R1/067 | 分類號： | G01R1/067;C23C14/06;H01H1/04;H01H1/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 張玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 接觸 構(gòu)件 檢查 連接 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種電接觸構(gòu)件，其是與被測體反復(fù)接觸的電接觸構(gòu)件，其特征在于，
與所述被測體接觸的所述電接觸構(gòu)件的表面由含有金屬元素的含金屬元素碳被膜構(gòu)成，
在所述含金屬元素碳被膜中，在相對于所述電接觸構(gòu)件的軸線成45°的傾斜面上所形成的含金屬元素碳被膜的表面粗糙度Ra1在一定的值以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電接觸構(gòu)件，其中，所述Ra1在2.7nm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電接觸構(gòu)件，其中，所述含金屬元素碳被膜的厚度為50nm以上且5000nm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電接觸構(gòu)件，其中，所述含金屬元素碳被膜中所包含的所述金屬元素是選自鎢、鉭、鉬、鈮、鈦、鉻、鈀、銠、鉑、釕、銥、釩、鋯、鉿、錳、鐵、鈷和鎳中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電接觸構(gòu)件，其中，所述被測體包含Sn或Sn合金。
6.一種檢查用連接裝置，其中，具有多個權(quán)利要求1或2所述的電接觸構(gòu)件。
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