[發(fā)明專利]用于對行敲擊事件進行響應(yīng)的方法、裝置和系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380060811.4
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN104781885B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J.B.哈爾伯特;K.S.貝恩斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C11/401
• 分類號: G11C11/401;G11C11/406
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;徐紅燕

技術(shù)和機制用于促進為存儲器中的行的定向刷新作準(zhǔn)備的存儲器設(shè)備的操作模式。在實施例中，存儲器設(shè)備在操作在該模式中的同時執(zhí)行一個或多個操作以為來自存儲器控制器的將來的命令作準(zhǔn)備，所述命令至少部分地實施存儲器設(shè)備的第一存儲體中的行的定向刷新。在這樣的命令之前，存儲器設(shè)備服務(wù)于來自存儲器控制器的另一個命令。在另一個實施例中，服務(wù)于另一個命令包括存儲器設(shè)備在存儲器設(shè)備在該模式中操作的同時和在完成預(yù)期的將來的定向行刷新之前訪問存儲器設(shè)備的第二存儲體。

背景技術(shù)

1. 技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施例總體上涉及存儲器管理，并且更具體地涉及存儲器刷新操作的控制。

2. 背景技術(shù)

隨著計算技術(shù)的進步，計算設(shè)備更小，并且具有更強的處理能力。另外地，它們包括越來越多的儲存器和存儲器來滿足在設(shè)備上執(zhí)行的編程和計算的需要。通過提供高密度設(shè)備來實現(xiàn)與增加的儲存容量一起的設(shè)備的縮小的尺寸，其中存儲器設(shè)備內(nèi)的原子儲存單元具有越來越小的幾何尺寸。

隨著連續(xù)代的越來越緊湊的存儲器設(shè)備，間發(fā)故障已經(jīng)變得更頻繁。例如，一些現(xiàn)有的基于DDR3的系統(tǒng)在繁重工作負荷的情況下經(jīng)歷間發(fā)故障。研究員已經(jīng)跟蹤了在存儲器單元的刷新窗口內(nèi)對存儲器的單個行的重復(fù)訪問的故障。例如，對于32 nm工藝，如果在64毫秒刷新窗口中對行進行550K次或更多的訪問，則與被訪問的行在物理上相鄰的字線（wordline）具有經(jīng)歷數(shù)據(jù)損壞（corruption）的非常高的概率。對單個行的行敲擊（hammering）或重復(fù)訪問能夠引起跨傳輸門（passgate）的遷移。由對單行的重復(fù)訪問所引起的泄漏和寄生電流引起未被訪問的物理上相鄰的行中的數(shù)據(jù)損壞。已經(jīng)由經(jīng)常地看到這一點的DRAM行業(yè)將該故障問題標(biāo)記為“行敲擊”或者“行干擾”問題。

最近，已經(jīng)引入定向（targeted）行刷新技術(shù)來減輕行敲擊的效應(yīng)。促進定向行刷新的各種操作趨向于使存儲器子系統(tǒng)中的其它過程的定時復(fù)雜化。隨著存儲器技術(shù)繼續(xù)擴張，人們預(yù)期到，對定向行刷新技術(shù)的依賴有所增加。該增加的信賴提出保護DRAM和其他類型的存儲器系統(tǒng)的性能的挑戰(zhàn)。

附圖說明

在附圖的圖中通過示例的方式而非通過限制的方式圖示本發(fā)明的各個實施例，并且在附圖中：

圖1是圖示出根據(jù)實施例的用于執(zhí)行定向刷新的系統(tǒng)的元件的框圖。

圖2是圖示出根據(jù)實施例的用于對行敲擊事件進行響應(yīng)的系統(tǒng)的元件的框圖。

圖3是圖示出根據(jù)實施例的用于控制存儲器設(shè)備的方法的元素的流程圖。

圖4是圖示出根據(jù)實施例的用于對行敲擊事件進行響應(yīng)的存儲器設(shè)備的元件的框圖。

圖5是圖示出根據(jù)實施例的用于操作存儲器設(shè)備的方法的元素的流程圖。

圖6是根據(jù)實施例的圖示出存儲器控制器和存儲器設(shè)備之間的交換的時序圖。

圖7是圖示出根據(jù)實施例的用于執(zhí)行定向存儲器刷新的計算系統(tǒng)的元件的框圖。

圖8是圖示出根據(jù)實施例的用于執(zhí)行定向存儲器刷新的移動設(shè)備的元件的框圖。

具體實施方式

在本文討論的實施例不同地提供促進特定于存儲器設(shè)備中的存儲器的行的定向刷新的技術(shù)和/或機制。將被刷新的行例如可以處于是在相鄰的目標(biāo)行的行敲擊的受害（victim）的危險之中。在實施例中，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）或其它存儲器設(shè)備檢測到指示——例如從耦合到其的存儲器控制器接收到的指示——特定目標(biāo)行經(jīng)受行敲擊。