[發(fā)明專利]磁阻效應(yīng)元件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380060677.8 | 申請日： | 2013-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN104798218A | 公開（公告）日： | 2015-07-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 中川行人;小平吉三;栗田資三;中川隆史 | 申請（專利權(quán)）人： | 佳能安內(nèi)華股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;H01J37/305;H01L21/302;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁阻 效應(yīng) 元件 制造 方法 | ||
1.一種磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述磁阻效應(yīng)元件具有2個鐵磁性層和位于所述2個鐵磁性層之間的隧道勢壘層，
所述制造方法具有對附著于進行了元件分離的所述隧道勢壘層的側(cè)壁上的金屬材料照射離子束的工序，
所述離子束為使用Kr氣體或Xe氣體的等離子體而形成的離子束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，在照射所述離子束后，使用反應(yīng)性氣體的等離子體將所述金屬材料制成絕緣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，在照射所述離子束后，具有對所述金屬材料照射使用反應(yīng)性氣體的等離子體而形成的離子束的工序，
所述反應(yīng)性氣體為含氧氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述含氧氣體為O2氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)性氣體為含氮氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述含氮氣體為N2氣體或氨氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述離子束的能量為10eV以上且100eV以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述Kr氣體或Xe氣體中添加有反應(yīng)性氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)性氣體為含氧氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述含氧氣體為O2氣體。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述反應(yīng)性氣體為含氮氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述含氮氣體為N2氣體或氨氣。
13.根據(jù)權(quán)利要求8～12中任一項所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，使用所述Kr氣體或Xe氣體的等離子體而形成的所述離子束的能量為10eV以上且100eV以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中任一項所述的磁阻效應(yīng)元件的制造方法，其特征在于，所述磁阻效應(yīng)元件為所述2個鐵磁性層均在膜厚方向上磁化了的垂直磁化型磁阻效應(yīng)元件。
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