[發(fā)明專利]包含TiN?X中間層的磁堆

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380060675.9
• 申請(qǐng)日: 2013-09-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105027202B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李慧慧;G·具;彭應(yīng)國(guó);J·陳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 希捷科技有限公司;新加坡國(guó)立大學(xué)
• 主分類號(hào): G11B5/73
• 分類號(hào): G11B5/73
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 樂(lè)洪詠,沙永生

發(fā)明內(nèi)容

本文討論的實(shí)施方式涉及包含基片、磁性記錄層以及所述基片與磁性記錄層之間的TiN-X層的堆(stack)。例如，在TiN-X層中，X是包含MgO、TiO、TiO₂、ZrN、ZrO、ZrO₂、HfN、HfO、AlN和Al₂O₃中至少一種的摻雜劑。

附圖說(shuō)明

圖1a、1b、2a和2b是根據(jù)本文所討論的實(shí)施方式的磁堆(magnetic stack)的橫截面圖；

圖3顯示了摻雜40體積％TiO_x的TiON中間層的Ti2p譜的高分辨率XPS分析結(jié)果，其中I-一氧化物；II-氮化物；III-氮氧化物；

圖4a顯示了具有各種TiO_x摻雜濃度的TiON中間層上生長(zhǎng)的10FePt的XRD譜；

圖4b顯示了TiON晶格常數(shù)a和FePt晶格常數(shù)c隨TiO_x摻雜濃度增加的變化。

圖5a、5b和5c呈現(xiàn)了具有不同TiO_x摻雜濃度的TiON中間層上生長(zhǎng)的10nm FePt的SEM圖；

圖6顯示了具有TiN-40體積％TiO_x中間層的FePt膜的高分辨率橫截面TEM圖；

圖7顯示了具有各種TiO_x摻雜濃度的5nm TiON中間層上生長(zhǎng)的10nm FePt膜的面內(nèi)和面外M-H環(huán)；

圖8顯示了具有各種TiO_x摻雜濃度的TiON中間層上沉積的一系列FePt(4nm)-35體積％SiO_x-20體積％C膜；

圖9a和9d顯示了平視TEM圖，表明隨著TiO_x中間層中TiO_x摻雜濃度的增大，F(xiàn)ePt的粒度減小，粒度均勻性提高，晶粒分離加劇；

圖9b、9c、9e和9f顯示了圖9a和9d的橫截面TEM圖；

圖10顯示了XRD結(jié)果；

圖11a和11b顯示了兩個(gè)樣品的特征的相似性；

圖12表明，在具有不同TiO_x摻雜濃度的TiON中間層上生長(zhǎng)的FePt-SiO_x-C膜的面外M-H環(huán)表現(xiàn)出與13kOe的高矯頑力類似的特征；

圖13a顯示了面內(nèi)和面外M-H環(huán)；

圖13b顯示了具有40體積％TiO_x摻雜濃度的TiON中間層上生長(zhǎng)的FePt(4nm)-45體積％SiO_x-25體積％C膜的平視TEM圖；

圖13c顯示了樣品的橫截面TEM圖；

圖14a顯示了具有各種ZrO_x摻雜濃度的ZrTiON中間層上生長(zhǎng)的10nm FePt膜的XRD譜；

圖14b顯示了根據(jù)積分峰強(qiáng)度比I₀₀₁/I₀₀₂和由XRD外推的FePt晶格常數(shù)c估計(jì)的化學(xué)有序性；

圖15a、15b和15c分別顯示了具有30體積％ZrO_x摻雜濃度的ZrTiON中間層的Zr3d、Ti2p和N1s譜的高分辨率XPS分析結(jié)果；

圖16a呈現(xiàn)了沒(méi)有10nm FePt磁性層的TiN-ZrO_x 30體積％的平視TEM圖；

圖16b呈現(xiàn)了具有10nm FePt磁性層的TiN-ZrO_x 30體積％的平視TEM圖；

圖16c表明，TiN-30體積％ZrO_x中間層上生長(zhǎng)的純FePt膜的粒度分布與ZrTiON中間層的粒度分布一致；

圖17a-17d顯示了CrRu(30nm)/TiN(5nm)-ZrO_x 40體積％/FePt(10nm)膜的高分辨率TEM圖；

圖18顯示了具有不同ZrOx摻雜濃度的ZrTiON中間層上生長(zhǎng)的10nm FePt膜的面外M-H環(huán)；

圖19顯示了面內(nèi)和面外矯頑力；

圖20顯示了具有各種ZrOx摻雜濃度的ZrTiON中間層上生長(zhǎng)的FePt(4nm)-SiO_x 35體積％-C 20體積％膜的XRD譜；