[發明專利]熱敏電阻用金屬氮化物材料及其制造方法以及薄膜型熱敏電阻傳感器有效
| 申請號: | 201380060050.2 | 申請日: | 2013-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN104797734A | 公開(公告)日: | 2015-07-22 |
| 發明(設計)人: | 藤田利晃;田中寬;長友憲昭 | 申請(專利權)人: | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;H01C7/04 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱敏電阻 金屬 氮化物 材料 及其 制造 方法 以及 薄膜 傳感器 | ||
1.一種熱敏電阻用金屬氮化物材料,其是用于熱敏電阻的金屬氮化物材料,其特征在于,
由以通式:(Ti1-wCrw)xAlyNz表示的金屬氮化物構成,其中,0.0<w<1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.4≤z≤0.5、x+y+z=1,
所述熱敏電阻用金屬氮化物材料的結晶結構為六方晶系的纖鋅礦型的單相。
2.根據權利要求1所述的熱敏電阻用金屬氮化物材料,其特征在于,
所述熱敏電阻用金屬氮化物材料形成為膜狀,
并且為沿垂直于所述膜的表面的方向延伸的柱狀結晶。
3.根據權利要求1所述的熱敏電阻用金屬氮化物材料,其特征在于,
所述熱敏電阻用金屬氮化物材料形成為膜狀,
在垂直于所述膜的表面的方向上,c軸的取向強于a軸的取向。
4.一種薄膜型熱敏電阻傳感器,其特征在于,具備:
絕緣性薄膜;
薄膜熱敏電阻部,在該絕緣性薄膜上由權利要求1所述的熱敏電阻用金屬氮化物材料形成;及
一對圖案電極,至少形成在所述薄膜熱敏電阻部的上側或下側。
5.根據權利要求4所述的薄膜型熱敏電阻傳感器,其特征在于,
所述圖案電極的至少接合于所述薄膜熱敏電阻部的部分由Cr形成。
6.一種熱敏電阻用金屬氮化物材料的制造方法,其特征在于,其是制造權利要求1所述的熱敏電阻用金屬氮化物材料的方法,
具有使用Ti-Cr-Al復合濺射靶在含氮氣氛中進行反應性濺射而成膜的成膜工序。
7.根據權利要求6所述的熱敏電阻用金屬氮化物材料的制造方法,其特征在于,
將所述反應性濺射中的濺射氣壓設定為小于0.67Pa。
8.根據權利要求6所述的熱敏電阻用金屬氮化物材料的制造方法,其特征在于,
具有在所述成膜工序后向所形成的膜照射氮等離子體的工序。
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