[發明專利]多結太陽能電池

無效

• 申請號: 201380059909.8
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN104813485A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 丹尼爾·德卡克斯;麗貝卡·瓊斯-艾伯特斯;維基特·薩博尼斯;費倫·蘇阿雷茲
• 申請（專利權）人: 太陽結公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/043;H01L31/18
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;劉錚

1.一種多結太陽能電池，包括：

具有一個或多個子電池的第一組；以及

具有一個或多個子電池的第二組，其中所述一個或多個子電池中每個均與第二基底進行點陣匹配；

其中：

所述具有一個或多個子電池的第二組結合至所述具有一個或多個子電池的第一組；

所述多結太陽能電池包括至少三個子電池；以及

所述至少三個子電池中至少之一包括基礎層，所述基礎層包括具有周期表上IIIA族、IV族以及VA族中的元素的合金。

2.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中所述具有一個或多個子電池的第一組中每個子電池均與第一基底進行點陣匹配。

3.根據權利要求2所述的多結太陽能電池，其中所述第一基底包括選自Ge、GaAs以及p型Ge的材料。

4.根據權利要求2所述的多結太陽能電池，其中所述第一基底包括選自Ge、SiGe、GaAs以及InP的材料。

5.根據權利要求2所述的多結太陽能電池，其中，

所述第一基底包括選自Ge和GaAs的材料；以及

所述具有一個或多個子電池的第一組包括生長在所述第一基底上的III-AsNV子電池。

6.根據權利要求5所述的多結太陽能電池，其中至少一個III-AsNV子電池包括GaInAsSb合金。

7.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中所述具有一個或多個子電池的第一組包括覆蓋Si基底的外延Ge基底。

8.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中，

所述第二基底包括減薄的基底；以及

所述減薄的基底與所述具有一個或多個子電池的第一組相結合。

9.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中，

所述第二基底被從所述具有一個或多個子電池的第二組移除；以及

所述具有一個或多個子電池的第二組與所述具有一個或多個子電池的第一組相結合。

10.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中，

所述具有一個或多個子電池的第一組在第一條件下退火；

所述具有一個或多個子電池的第二組在第二條件下退火；以及

所述第一條件不同于所述第二條件。

11.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中在將所述具有一個或多個子電池的第二組退火之前，所述第二基底被減薄。

12.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中在將所述具有一個或多個子電池的第二組退火之前，所述第二基底被移除。

13.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中所述具有一個或多個子電池的第一組還包括覆蓋最上側子電池的擴散結層。

14.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中所述具有一個或多個子電池的第二組還包括位于最下側子電池下面的含As的層。

15.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中，

所述具有一個或多個子電池的第一組包括p型Ge基底；

所述具有一個或多個子電池的第二組包括減薄的基底；以及

所述減薄的基底與所述Ge基底相結合。

16.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中，

所述具有一個或多個子電池的第一組包括p型Ge基底；

所述具有一個或多個子電池的第二組包括位于最下側子電池下面的含As的層；以及

所述含As的層與所述Ge基底相結合。

17.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中，

所述具有一個或多個子電池的第一組包括p型Ge基底；

所述具有一個或多個子電池的第二組包括位于最下側子電池下面的選自InGaP、InP、和GaP的含磷層；以及

所述含磷層與p型Ge基底相結合。

18.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中所述第二基底包括選自Ge和GaAs的材料。

19.根據權利要求1所述的多結太陽能電池，其中所述具有一個或多個子電池的第二組生長在覆蓋所述第二基底的釋放層上。