[發明專利]陶瓷布線基板、半導體裝置、及陶瓷布線基板的制造方法

在審

• 申請號: 201380059847.0
• 申請日: 2013-12-17
• 公開（公告）號: CN104781928A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 廣瀨義幸;杉谷幸愛;胡間紀人;豐島剛平;上西升
• 申請（專利權）人: 聯合材料公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;B22F3/26;B22F7/06;C22C5/02;C22C5/06;C22C9/00;C22C27/04;H05K1/09;H05K3/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 葛凡

1.一種陶瓷布線基板，包括：

基板，使含有選自Al、及Si中的至少1種的陶瓷的前體燒結而以板狀形成；

上下導通孔，在所述基板燒結后，貫穿該基板的厚度方向而形成；

上下導通體，其填充在所述上下導通孔中，包含含有選自Cu、Ag、及Au中的至少1種低電阻金屬、和選自W、及Mo中的至少1種高熔點金屬的復合材料；及

中間層，其在所述上下導通體與基板之間，將所述兩者之間隔開而配設，包含選自Mo、W、Co、Fe、Zr、Re、Os、Ta、Nb、Ir、Ru、及Hf中的至少1種。

2.根據權利要求1所述的陶瓷布線基板，其中，

所述中間層的厚度為0.1μm以上。

3.根據權利要求1或2所述的陶瓷布線基板，其中，

所述基板在至少一個平面上具備焊料層，

所述焊料層的厚度為8μm以下，

所述上下導通體中的所述低電阻金屬的比例為50％以下。

4.一種半導體裝置，其特征在于，

在所述權利要求1至3中任一項所述的陶瓷布線基板上搭載有半導體元件。

5.一種陶瓷布線基板的制造方法，是權利要求1至3中任一項所述的陶瓷布線基板的制造方法，其包括：

使成為形成所述基板的陶瓷的母材的前體的板體燒結而形成該基板的工序、

沿所述基板的厚度方向貫穿而形成上下導通孔的工序、

在所述上下導通孔的內面形成包含選自所述Mo、W、Co、Fe、Zr、Re、Os、Ta、Nb、Ir、Ru、及Hf中的至少1種的所述中間層的工序；

向所述上下導通孔內，填充含有選自所述W、及Mo中的至少1種高熔點金屬的粉末的糊狀物，使該粉末燒結，形成包含所述高熔點金屬的多孔結構體的工序；及

向所述多孔結構體中，熔滲所述選自Cu、Ag、及Au中的至少1種低電阻金屬而形成所述上下導通體的工序。