[發明專利]打線裝置以及打線方法在審
| 申請號: | 201380059828.8 | 申請日: | 2013-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN104813457A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 關根直希;中澤基樹;杜湧 | 申請(專利權)人: | 株式會社新川 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 陶敏;臧建明 |
| 地址: | 日本東京武藏村*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線裝 以及 方法 | ||
1.一種打線裝置,包括:
第一接合處理部,在打線的第一接合點,將接合對象物與金屬線之間進行接合;以及
未接合監視部,在所述第一接合處理后,在規定的連續監視期間內,對保持于毛細管的所述金屬線與所述接合對象物之間連續地施加規定的電氣信號,基于所述電氣信號的連續響應,而監視并判斷所述金屬線與所述接合對象物之間的連接是否變化。
2.根據權利要求1所述的打線裝置,其中所述規定的連續監視期間是
在所述第一接合處理后使所述金屬線自所述第一接合點延出至所述打線的第二接合點為止的期間。
3.根據權利要求2所述的打線裝置,其中所述未接合監視部是
對保持于所述毛細管的所述金屬線與所述接合對象物之間施加規定的電氣信號,并取得保持于所述毛細管的所述金屬線與所述接合對象物之間的電容值,在所述第一接合處理后所述電容值降低時,判斷為所述金屬線自所述接合對象物被切斷,在之后到達所述第二接合點之前所述電容值恢復時,判斷為所述被切斷的所述金屬線垂下而接觸于所述接合對象物。
4.根據權利要求3所述的打線裝置,其中所述規定的電氣信號為交流電氣信號、直流脈波信號中的任一種信號。
5.根據權利要求3或4所述的打線裝置,其中所述未接合監視部是
基于將所述取得的所述電容值對時間進行微分所得的微分值,而判斷關于所述電容值的降低與恢復。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的打線裝置,其中所述第一接合點及所述第二接合點的所述打線以楔形接合方式進行。
7.一種打線方法,包括:
第一接合處理步驟,在打線的第一接合點,將接合對象物與金屬線之間進行接合;
連續監視步驟,在所述第一接合處理后,使所述金屬線自所述第一接合點延出至所述打線的第二接合點為止的期間內,對保持于毛細管的所述金屬線與接合對象物之間連續地施加規定的電氣信號,并取得保持于所述毛細管的所述金屬線與所述接合對象物之間的電容值的變化;以及
中途切斷判斷步驟,在所述第一接合處理后所述電容值降低時,判斷為所述金屬線被中途切斷,在之后到達所述第二接合點之前所述電容值恢復時,判斷為所述被中途切斷的所述金屬線垂下而接觸于所述接合對象物。
8.根據權利要求7所述的打線方法,其中所述規定的電氣信號為交流電氣信號、直流脈波信號中的任一種信號。
9.一種打線裝置,包括:
第一接合處理部,在打線的第一接合點,將第一接合對象物與金屬線之間進行接合;
線弧形成處理部,使所述金屬線一面自所述第一接合點延出至第二接合點而形成規定的線弧一面移動;
第二接合處理部,在所述第二接合點,將第二接合對象物與所述金屬線之間進行接合;以及
未接合監視部,在自所述第一接合處理之前至所述第二接合之后的整個期間,對保持于毛細管的所述金屬線與保持所述第一接合對象物及所述第二接合對象物的接合平臺之間連續地施加規定的電氣信號,基于所述電氣信號的連續響應,而監視并判斷所述金屬線的連接狀態有無變化。
10.根據權利要求9所述的打線裝置,其中所述未接合監視部是
基于所述金屬線與所述接合平臺之間的電容值的變化、或電氣短路有無的變化,而監視并判斷所述金屬線的連接狀態有無變化。
11.根據權利要求10所述的打線裝置,其中所述未接合監視部是
將所述第一接合處理前的期間內的所述連續響應的穩定值設為第一基準值,基于所述第一基準值而判斷所述第一接合點的所述金屬線與所述第一接合對象物之間的所述連接狀態有無變化,
將所述第一接合處理完成時的所述連續響應的穩定值設為第二基準值,基于所述第二基準值而判斷所述線弧形成處理期間內的所述金屬線的所述連接狀態有無變化,
將所述線弧形成處理期間內的連續響應的穩定值設為第三基準值,基于所述第三基準值而判斷所述第二接合點的所述金屬線與所述第二接合對象物之間的所述連接狀態有無變化,
將所述第二接合處理完成時的所述連續響應的穩定值設為第四基準值,基于所述第四基準值而判斷自所述第二接合點至金屬線的切斷處理完成的期間內的所述金屬線的所述連接狀態有無變化。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





