[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380059691.6
• 申請日: 2013-07-03
• 公開（公告）號: CN104798175B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林俊宇;倪慶懷;陳怡名;徐子杰;邱新智;呂志強;林敬倍
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法，包含：

提供第一基板；

提供一半導(dǎo)體外延疊層；

以一第一粘著層粘接該第一基板及該半導(dǎo)體外延疊層；

形成一圖案化犧牲層于該第一粘著層與該第一基板之間；

圖案化該半導(dǎo)體外延層疊層為多個外延單元，其中該多個外延單元包含：

多個第一外延單元，其中每一該第一外延單元具有第一幾何形狀及第一面積；以及

多個第二外延單元，其中每一該第二外延單元具有第二幾何形狀及第二面積；

提供第二基板，具有一表面；

轉(zhuǎn)移該些第二外延單元至該第二基板的該表面上；以及

切割該第一基板以形成多個第一半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中每一個該第一半導(dǎo)體發(fā)光元件包含至少一該第一外延單元；

其中，該第一幾何形狀與該第二幾何形狀不相同或該第一面積與該第二面積不相同。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中轉(zhuǎn)移該些第二外延單元至該第二基板上的步驟更包含：

使該些第二外延單元自該第一基板上分離；以及

粘接該些第二外延單元至該第二基板上。

3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中轉(zhuǎn)移該些第二外延單元至該第二基板上的步驟更包含：

在該些第二外延單元接著至該第二基板上之后，移除在該些第二外延單元上的該第一粘著層。

4.如權(quán)利要求3所述的制作方法，更包含形成一第二粘著層于該第二基板的部分表面上，其中該部分表面對應(yīng)于該些第二外延單元的位置。

5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該第一幾何形狀及/或該第二幾何形狀為正方形、長方形、或十字形。

6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中每一該第一半導(dǎo)體發(fā)光元件包含只有一個該第一外延單元以及第一基板單元用以承載該第一外延單元。

7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中更包含切割該第二基板以形成多個第二半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中每一個該第二半導(dǎo)體發(fā)光元件包含至少一該第二外延單元。

8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中更包含分割每一該些第二外延單元為多個第三外延單元，以及分割該第二基板為多個第二基板單元，其中每一該第二半導(dǎo)體發(fā)光元件包含多個該第三外延單元以及一該第二基板單元用以承載該些第三外延單元。

9.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中每一該第二半導(dǎo)體發(fā)光元件包含至少兩個該第二外延單元以及一切割自該第二基板的第二基板單元用以承載該些第二外延單元。

10.如權(quán)利要求8所述的制作方法，更包含形成至少一導(dǎo)電連結(jié)結(jié)構(gòu)以串聯(lián)或并聯(lián)該些第三外延單元。

11.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該些第二外延單元呈U型的排列。

12.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中

該圖案化犧牲層對應(yīng)于該第二外延單元的位置。

13.如權(quán)利要求1所述的制作方法，更包含移除該些圖案化犧牲層。

14.如權(quán)利要求8所述的制作方法，更包含形成第一襯墊與第二襯墊于該第二基板上，該第一襯墊及該第二襯墊電性連接該至少一第三外延單元。

15.如權(quán)利要求14所述的制作方法，其中該第一襯墊與該第二襯墊形成在該至少一第三外延單元區(qū)域以外的該第二基板上。