[發(fā)明專利]含有酸性氣體的氣體處理用分離膜及其制造方法、酸性氣體或甲烷氣體的分離方法、及酸性氣體或甲烷氣體的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380059543.4 | 申請日： | 2013-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN104797328A | 公開（公告）日： | 2015-07-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 倉橋智彥;藏岡孝治 | 申請（專利權(quán)）人： | 東洋橡膠工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | B01D71/70 | 分類號： | B01D71/70;B01D69/10;B01D69/12;B01D71/02;B01J20/02;B01J20/04 |
| 代理公司： | 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285 | 代理人： | 鐘守期;蘇萌 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 含有 酸性 氣體 處理 分離 及其 制造 方法 甲烷 | ||
1.一種含有酸性氣體的氣體處理用分離膜，其由在引入了烴基的聚硅氧烷網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)體上摻雜對酸性氣體有親和性的金屬鹽而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含有酸性氣體的氣體處理用分離膜，其中引入了所述烴基的所述聚硅氧烷網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)體為通過四烷氧基硅烷和含有所述烴基的含烴基三烷氧基硅烷的反應而得到的復合聚硅氧烷網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含有酸性氣體的氣體處理用分離膜，其中所述四烷氧基硅烷為四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷(將其記為A)，
所述含烴基三烷氧基硅烷為在三甲氧基硅烷或三乙氧基硅烷的Si原子上鍵合了碳原子數(shù)為1-6的烷基或苯基的含烴基三烷氧基硅烷(將其記為B)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的含有酸性氣體的氣體處理用分離膜，其中所述A與所述B的配合比率(A/B)以摩爾比計設定為1/9-9/1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中的任一項所述的含有酸性氣體的氣體處理用分離膜，其中所述金屬鹽為從由Li、Na、K、Mg、Ca、Ni、Fe、及Al組成的組中選擇的至少一種金屬的乙酸鹽、硝酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、或磷酸鹽。
6.一種含有酸性氣體的氣體處理用分離膜的制造方法，其包含：
(a)準備步驟，調(diào)制混合了酸催化劑、水、及有機溶劑的第一準備液以及混合了酸催化劑、有機溶劑、及對酸性氣體有親和性的金屬鹽的第二準備液；
(b)第一混合步驟，在所述第一準備液中混合四烷氧基硅烷；
(c)第二混合步驟，在所述第一混合步驟得到的混合液中混合含烴基三烷氧基硅烷；
(d)第三混合步驟，在所述第二混合步驟得到的混合液中混合所述第二準備液；
(e)涂布步驟，在無機多孔支撐體上涂布所述第三混合步驟得到的混合液；及
(f)形成步驟，對完成了所述涂布步驟的無機多孔支撐體進行熱處理，在該無機多孔支撐體的表面形成摻雜了所述金屬鹽的引入了烴基的聚硅氧烷網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)體。
7.一種含有酸性氣體的氣體處理用分離膜的制造方法，其包含：
(a)準備步驟，調(diào)制混合了酸催化劑、水、及有機溶劑的第一準備液以及混合了酸催化劑、有機溶劑、及對酸性氣體有親和性的金屬鹽的第二準備液；
(b)第一混合步驟，將所述第一準備液和所述第二準備液混合；
(c)第二混合步驟，在所述第一混合步驟得到的混合液中混合四烷氧基硅烷；
(d)第三混合步驟，在所述第二混合步驟得到的混合液中混合含烴基三烷氧基硅烷；
(e)涂布步驟，在無機多孔支撐體上涂布所述第三混合步驟得到的混合液；及
(f)形成步驟，對完成了所述涂布步驟的無機多孔支撐體進行熱處理，在該無機多孔支撐體的表面形成摻雜了所述金屬鹽的引入了烴基的聚硅氧烷網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)體。
8.一種含有酸性氣體的氣體處理用分離膜的制造方法，其包含：
(a)準備步驟，調(diào)制混合了酸催化劑、水、及有機溶劑的準備液；
(b)第一混合步驟，在所述準備步驟得到的準備液中混合四烷氧基硅烷；
(c)第二混合步驟，在所述第一混合步驟得到的混合液中混合含烴基三烷氧基硅烷；
(d)第三混合步驟，在所述第二混合步驟得到的混合液中混合對酸性氣體有親和性的金屬鹽；
(e)涂布步驟，在無機多孔支撐體上涂布所述第三混合步驟得到的混合液；及
(f)形成步驟，對完成了所述涂布步驟的無機多孔支撐體進行熱處理，在該無機多孔支撐體的表面形成摻雜了所述金屬鹽的引入了烴基的聚硅氧烷網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)體。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中的任一項所述的含有酸性氣體的氣體處理用分離膜的制造方法，其中所述四烷氧基硅烷為四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷(將其記為A)，
所述含烴基三烷氧基硅烷為在三甲氧基硅烷或三乙氧基硅烷的Si原子上鍵合了碳原子數(shù)為1-6的烷基或苯基的含烴基三烷氧基硅烷(將其記為B)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的含有酸性氣體的氣體處理用分離膜的制造方法，其中所述A與所述B的配合比率(A/B)以摩爾比計設定為1/9-9/1。
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