[發明專利]包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器及其制造方法

有效

• 申請號: 201380059491.0
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN104813474A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 安熙均;元俊鎬
• 申請（專利權）人: （株）賽麗康
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所 11399
• 代理人: 朱健

1.一種包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器，其包括：

光電檢測層，其形成在半導體基底之上并包括用于接收至少一種顏色的光的至少一個光電二極管；

抗反射層，其形成在所述光電檢測層之上；

濾色器層，其形成在所述抗反射層之上并包括形成在與至少一個光電二極管各自對應位置的至少一個濾色器；

外敷層，其形成在所述濾色器層之上并包括形成在與至少一個濾色器各自對應位置的至少一個外敷；以及

顏色微透鏡層，其形成在所述外敷層之上并包括形成在與至少一個濾色器各自對應位置的至少一個顏色微透鏡。

2.一種包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器，其包括：

光電檢測層，其形成在半導體基底之上并包括用于接收至少一種顏色的光的至少一個光電二極管；

抗反射層，其形成在所述光電檢測層之上；以及

顏色微透鏡層，其用作形成在所述抗反射層之上的濾色器并包括顏色微透鏡，所述顏色微透鏡用作形成在與至少一個光電二極管各自對應位置的至少一個濾色器。

3.一種包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器，其包括：

光電檢測層，其形成在半導體基底之上并包括用于接收至少一種顏色的光的至少一個光電二極管；

抗反射層，其形成在所述光電檢測層之上；以及

顏色微透鏡層，其形成在所述抗反射層之上并包括形成在與至少一個光電二極管各自對應位置的至少一個顏色微透鏡。

4.根據權利要求1-3任一所述的包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器，其中至少一種顏色分別包括藍色、綠色、以及紅色。

5.根據權利要求1-3任一所述的包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器，其中至少一種顏色分別包括青色、品紅、以及黃色。

6.根據權利要求1所述的包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器，其中至少一個濾色器的顏色與對應于該顏色的至少一個顏色微透鏡的顏色相同或者彼此不同。

7.一種包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器的制造方法，其包括以下步驟：

在半導體基底之上形成光電檢測層，所述光電檢測層包括用于接收至少一種顏色的光的至少一個光電二極管；

在所述光電檢測層之上形成抗反射層；

在所述抗反射層之上形成濾色器層，所述濾色器層包括在與至少一個光電二極管各自對應位置的至少一個濾色器；

在所述濾色器層之上形成外敷層，所述外敷層包括形成在與至少一個濾色器各自對應位置的至少一個外敷；以及

在所述外敷層之上形成顏色微透鏡層，所述顏色微透鏡層包括形成在與至少一個濾色器各自對應位置的至少一個顏色微透鏡。

8.一種包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器的制造方法，其包括以下步驟：

在半導體基底之上形成光電檢測層，所述光電檢測層包括用于接收至少一種顏色的光的至少一個光電二極管；

在所述光電檢測層之上形成抗反射層；以及

在所述抗反射層之上形成顏色微透鏡層，所述顏色微透鏡層用作濾色器并包括顏色微透鏡，所述顏色微透鏡用作形成在與至少一個光電二極管各自對應位置的至少一個濾色器。

9.一種包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器的制造方法，其包括以下步驟：

在半導體基底之上形成光電檢測層，所述光電檢測層包括用于接收至少一種顏色的光的至少一個光電二極管；

在所述光電檢測層之上形成抗反射層；以及

在所述抗反射層之上形成顏色微透鏡層，所述顏色微透鏡層包括形成在與至少一個光電二極管各自對應位置的至少一個顏色微透鏡。

10.根據權利要求7或9所述的包括顏色微透鏡的CMOS圖像傳感器的制造方法，其中在形成顏色微透鏡層的步驟中，至少一個顏色微透鏡的厚度形成為相等或者彼此不同。