[發(fā)明專利]硬掩膜組合物、用于其的單體及使用其形成圖案的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380059123.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-10-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104823106B | 公開（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 辛乘旭;金潤俊;金惠廷;趙娟振;崔有廷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 第一毛織株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C07C65/40 | 分類號(hào)： | C07C65/40;G03F7/16;G03F7/11;G03F7/40;G03F7/004;C07C63/26;G03F7/075;G03F7/09;C07C65/32;G03F7/26;C07C63/15;C07C65/34;G03F1/00;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬爽;臧建明 |
| 地址： | 韓國慶尚北道龜尾市*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硬掩膜 組合 用于 單體 使用 形成 圖案 方法 | ||
1.一種用于硬掩膜組合物的單體，以下列化學(xué)式1表示：
[化學(xué)式1]
其中，在上述化學(xué)式1中，
A為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C60的芳香族環(huán)基，
A’為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒄基、經(jīng)取代的芘基或其組合，
其條件為當(dāng)A'為經(jīng)取代之芘基時(shí)，A'的至少一氫原子被羥基取代，
X為氧原子，
L為雙鍵，
L'為單鍵，或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C6的亞烷基，以及
n為1至3的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硬掩膜組合物的單體，其中所述單體是以下列化學(xué)式1-1a、1-2a、1-2b或1-3a表示：
[化學(xué)式1-1a]
[化學(xué)式1-2a]
[化學(xué)式1-2b]
[化學(xué)式1-3a]
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硬掩膜組合物的單體，其中所述單體的分子量為300至3000。
4.一種硬掩膜組合物，包括：
根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的單體；以及
溶劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硬掩膜組合物，其中基于硬掩膜組合物的總量，所述單體的含量為1重量％至30重量％。
6.一種圖案形成方法，包括：
在基底上提供材料層；
將根據(jù)權(quán)利要求4所述的硬掩膜組合物涂布于所述材料層上；
熱處理所述硬掩膜組合物以形成硬掩膜層；
于所述硬掩膜層上形成含硅薄膜；
于所述含硅薄膜上形成光阻層；
對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光與顯影以形成光阻圖案；
利用所述光阻圖案選擇性移除所述含硅薄膜以及所述硬掩膜層，以裸露出部分所述材料層；以及
對(duì)所述材料層裸露出的部分進(jìn)行蝕刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖案形成方法，其中使用旋轉(zhuǎn)涂布法來涂布所述硬掩膜組合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖案形成方法，其中形成硬掩膜層的工藝包括在100℃至500℃進(jìn)行熱處理。
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