[發(fā)明專利]穿硅光學互連

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380059116.6
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN104781932B
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發(fā)明（設計）人: K·卡斯考恩;S·顧;M·M·諾瓦克
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H04B10/80
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 唐杰敏

1.一種半導體器件，包括：

第一管芯，包括：

包括一個或多個晶體管的有效區(qū)域；以及

耦合到所述有效區(qū)域的背面層，所述背面層具有的厚度足夠薄以允許從光發(fā)射器發(fā)射的光信號穿過所述背面層；以及

光接收器，其被配置成接收通過所述第一管芯的所述背面層和所述第一管芯的所述有效區(qū)域的至少一部分的所述光信號，其中所述光接收器不同于所述第一管芯的所述有效區(qū)域。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述光信號源自耦合至第二管芯的對應的光發(fā)射器。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述背面層是管芯基板。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述光信號穿過所述背面層的基板部分。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述光接收器是所述第一管芯的所述有效區(qū)域的一部分。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述有效區(qū)域包括有源器件、無源器件和/或?qū)щ妼又械闹辽僖徽摺?/p>

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述光接收器與所述第一管芯分開，并且其中所述光接收器位于所述第一管芯的所述有效區(qū)域之上。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述光接收器包括被配置成接收多個光信號的多個光傳感器。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述光接收器被進一步配置成將來自至少所述多個光信號中的特定的光信號與特定的光傳感器相關聯(lián)。

10.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，特定的光傳感器被配置成將在其光傳感器處接收到的光信號標識為源自特定的光發(fā)射器。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，進一步包括第二管芯，所述第二管芯包括光發(fā)射器，并且其中所述第二管芯耦合至所述第一管芯的背面層。

12.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，進一步包括：

包括光發(fā)射器的第二管芯；以及

位于所述第一管芯與所述第二管芯之間的第三管芯，其中所述光接收器被配置成接收通過所述第三管芯的特定光信號。

13.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，進一步包括被配置成將至少一個光信號反射到所述光接收器的反射組件。

14.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，進一步包括配置成散射至少一個光信號的反射組件。

15.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件被納入到音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、固定位置終端中的至少一者中。

16.一種半導體器件，包括：

第一管芯，包括：

包括一個或多個晶體管的有效區(qū)域；以及

耦合到所述有效區(qū)域的背面層，所述背面層具有的厚度足夠薄以允許光信號穿過所述背面層；以及

光發(fā)射器，其被配置成將所述光信號發(fā)射到光接收器，所述光發(fā)射器還被配置成發(fā)射通過所述第一管芯的所述背面層和所述第一管芯的所述有效區(qū)域的至少一部分的所述光信號，其中所述光發(fā)射器不同于所述第一管芯的所述有效區(qū)域。

17.如權利要求16所述的半導體器件，其特征在于，所述光信號以耦合至第二管芯的對應的光接收器為目的地。

18.如權利要求16所述的半導體器件，其特征在于，所述背面層是管芯基板。