[發明專利]成膜掩模的制造方法在審
| 申請號: | 201380058995.0 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN104797733A | 公開(公告)日: | 2015-07-22 |
| 發明(設計)人: | 水村通伸 | 申請(專利權)人: | 株式會社V技術 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務所 11323 | 代理人: | 權鮮枝 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成膜掩模 制造 方法 | ||
1.一種成膜掩模的制造方法,上述成膜掩模是使樹脂制成的膜和薄板狀的磁性金屬構件緊貼而成的復合型的成膜掩模,上述樹脂制成的膜按在基板上成膜的薄膜圖案形成有形狀尺寸與該薄膜圖案相同的開口圖案,上述磁性金屬構件形成有內涵上述開口圖案的大小的貫通孔,
上述成膜掩模的制造方法的特征在于包含如下階段:
形成掩模用構件,上述掩模用構件是形成有上述貫通孔的上述磁性金屬構件和形成上述開口圖案前的樹脂制膜緊貼而成的結構;
對上述掩模用構件的上述貫通孔內的上述膜照射激光而形成具有一定形狀且一定深度的標記;以及
以上述標記為基準對預定的位置照射激光而形成貫通上述膜的上述開口圖案。
2.根據權利要求1所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,
在上述磁性金屬構件中,由橋分離的多個上述貫通孔排成一列,并且以一定的間距排列著多列,
在每個上述貫通孔內形成一個上述開口圖案。
3.根據權利要求1所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在上述貫通孔內形成多個上述開口圖案。
4.根據權利要求1~3中的任一項所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,以比用于形成上述開口圖案的激光的照射脈沖次數少的脈沖次數形成上述標記。
5.根據權利要求1~3中的任一項所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,以比用于形成上述開口圖案的激光的照射能量小的照射能量形成上述標記。
6.根據權利要求1~3中的任一項所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在形成上述掩模用構件的階段與形成上述標記的階段之間包含如下階段:將框狀的框架的一端面接合到與緊貼有上述膜的一側相反的一側的上述磁性金屬構件的周緣部,上述框架具有內涵上述磁性金屬構件的上述貫通孔的大小的開口。
7.根據權利要求4所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在形成上述掩模用構件的階段與形成上述標記的階段之間包含如下階段:將框狀的框架的一端面接合到與緊貼有上述膜的一側相反的一側的上述磁性金屬構件的周緣部,上述框架具有內涵上述磁性金屬構件的上述貫通孔的大小的開口。
8.根據權利要求5所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在形成上述掩模用構件的階段與形成上述標記的階段之間包含如下階段:將框狀的框架的一端面接合到與緊貼有上述膜的一側相反的一側的上述磁性金屬構件的周緣部,上述框架具有內涵上述磁性金屬構件的上述貫通孔的大小的開口。
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