[發(fā)明專利]使用F2進行腔室清潔的方法以及用于為此方法制備F2的工藝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201380058826.7
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN104769153A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: O.迪亞納
• 申請（專利權(quán)）人: 索爾維公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C25B1/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 黃念;徐厚才

1.一種用于使用F₂清潔腔室的方法，該F₂含有按重量計多于0.01％并且按重量計少于10％的HF。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該F₂含有按重量計等于或多于1％的HF，以及按重量計等于或少于2％的HF含量。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中該腔室是CVD腔室。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中在半導(dǎo)體、微機電系統(tǒng)、TFT(平板顯示器)、或太陽能電池的制造過程中使用該腔室用于沉積至少一個層。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中應(yīng)用在工藝中所獲得的F₂，該工藝包括以下步驟(I)和(II)：

A步驟(I)包括

A)至少一個在KF的存在下從HF電解式生產(chǎn)粗F₂的步驟

B)至少一個除去在步驟A)中獲得的該粗F₂中所夾帶的顆粒的步驟

C)至少一個將任何剩余顆粒從離開步驟B)的F₂中過濾出的步驟

以及

D)將F₂供應(yīng)到緩沖罐或儲存罐的步驟；

以及

步驟(II)，其中從該緩沖罐或儲存罐抽出F₂并且將其輸送到腔室中以進行至少一個腔室清潔步驟。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該F₂在步驟(I)中在包括以下步驟的工藝中獲得：

A)在KF的存在下由HF電解式生產(chǎn)粗F₂的步驟

B)除去在步驟A)中獲得的該粗F₂中所夾帶的顆粒的步驟

C)將任何剩余顆粒從離開步驟B)的F₂中過濾出的步驟

以及

D)將F₂輸送到緩沖罐或儲存罐的步驟。

7.如權(quán)利要求5或6所述的方法，其中步驟C)的顆粒過濾器包括具有的直徑為0.01μm至20μm的孔。

8.如權(quán)利要求5至7中任一項所述的方法，其中在步驟C)中的顆粒過濾器包括具有的直徑小于10nm的孔。

9.如權(quán)利要求5至8中任一項所述的方法，其中在腔室清潔的場所進行步驟A)至D)。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中步驟A)在電解槽中進行，步驟B)在靜態(tài)洗滌器中進行，步驟C)使用金屬過濾器進行，步驟D)在緩沖罐或儲存罐中進行，并且離開步驟D)的F₂被輸送到至少一個腔室中并且在該腔室中、在腔室清潔步驟(II)中所使用，其中該電解槽、該靜態(tài)洗滌器、該金屬過濾器、該緩沖罐或儲存罐、該緩沖罐或儲存罐、以及該至少一個腔室被可操作的連接。

11.如權(quán)利要求11所述的方法，其中在步驟B)至D)以及(II)中的每一步中F₂的壓力低于在先前步驟中的F₂的壓力。

12.如權(quán)利要求5至11中任一項所述的方法，其中在步驟A)中F₂的壓力等于或低于1.1巴(絕對值)，優(yōu)選等于或低于1.05±0.02巴(絕對值)。

13.如權(quán)利要求11或12所述的方法，其中在步驟(II)中、在從等于至大于0.2巴(絕對值)的壓力至等于或低于0.55巴(絕對值)的壓力下將F₂遞送到該腔室。

14.一種用于制備F₂的工藝，該F₂含有按重量計多于0.1％并且按重量計等于或低于10％、優(yōu)選按重量計等于或低于5％、并且特別優(yōu)選按重量計等于或低于2.5％的HF，該工藝包括以下步驟：

A)至少一個在KF的存在下從HF電解式生產(chǎn)粗F₂的步驟

B)至少一個除去在步驟A)中獲得的該粗F₂中所夾帶的顆粒的步驟

C)至少一個將任何剩余顆粒從離開步驟B)的F₂中過濾出的步驟

和

D)將該F₂遞送到緩沖罐或儲存罐的步驟。