[發明專利]半導體芯片的制造方法及使用于該方法的薄膜研磨用表面保護帶

無效

• 申請號: 201380058726.4
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN104781912A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 橫井啟時;岡祥文;青山真沙美
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;褚瑤楊

1.一種半導體芯片的制造方法，對于形成有半導體電路的半導體晶片，在具有凸塊作為電極的附有凸塊的晶片內形成改質層后，研磨該半導體晶片的背面，并成批分割成各個芯片，其特征在于，所述制造方法具有如下工序：

在形成該改質層后且研磨該半導體晶片的背面之前，將基材膜上具有黏著劑層的黏著帶的黏著劑層上層積有粘接膜的薄膜研磨用表面保護帶，以該粘接膜側貼附于半導體晶片的形成有半導體電路的那側；和

在研磨該半導體晶片的背面后進行拾取時或者轉印至拾取用的帶時，設置成僅該粘接膜粘接于芯片的狀態。

2.如權利要求1中所述的半導體芯片的制造方法，其中，所述設置成僅該粘接膜粘接于芯片的狀態的工序是不使用轉印膜而直接自該表面保護帶進行拾取的工序。

3.如權利要求1或2中所述的半導體芯片的制造方法，其包含如下工序：通過對所述薄膜研磨用表面保護帶進行擴展，將所述粘接膜與芯片同時分割。

4.如權利要求1或2中所述的半導體芯片的制造方法，其中，利用所述半導體晶片的背面研磨進行芯片的成批截斷之后，利用激光僅對所述薄膜研磨用表面保護帶的所述粘接膜進行分割。

5.一種薄膜研磨用表面保護帶，其是在基材膜上具有黏著劑層的黏著帶的黏著劑層上層積粘接膜而成的，其特征在于：

所述粘接膜由含有選自由(甲基)丙烯酸系共聚物及苯氧基樹脂組成的組中至少1種作為粘接劑的單一層或2層以上的層構成，其于250℃的彈性模量為10MPa以下，飽和吸濕率為1.5體積％以下。

6.如權利要求5中所述的薄膜研磨用表面保護帶，其中，所述黏著劑層為紫外線固化型。

7.如權利要求5或6中所述的薄膜研磨用表面保護帶，其中，所述黏著劑層以(甲基)丙烯酸系共聚物為主成分，凝膠分率為80％以上。

8.如權利要求5至7中任一項所述的薄膜研磨用表面保護帶，其中，所述粘接膜的表面自由能為25～45mN/m，飽和吸濕率為1.5體積％以下。

9.如權利要求5至8中任一項所述的薄膜研磨用表面保護帶，其中，所述粘接膜含有環氧樹脂，該環氧樹脂為選自由縮水甘油醚環氧樹脂、縮水甘油胺環氧樹脂、縮水甘油酯環氧樹脂及脂環式環氧樹脂組成的組中的至少1種樹脂。

10.如權利要求5至9中任一項所述的薄膜研磨用表面保護帶，其中，所述粘接膜含有雙酚系樹脂。

11.如權利要求10中所述的薄膜研磨用表面保護帶，其中，所述雙酚系樹脂為選自由雙酚F二縮水甘油醚樹脂及雙酚A二縮水甘油醚樹脂組成的組中的至少1種。

12.如權利要求5至11中任一項所述的薄膜研磨用表面保護帶，其中，所述粘接膜含有無機填料，相對于該粘接膜中的樹脂成分100質量份，其含量小于60質量份。

13.如權利要求5至12中任一項所述的薄膜研磨用表面保護帶，其中，所述粘接膜含有顯示出助焊劑活性且具有與異氰酸酯固化劑或環氧系固化劑交聯的官能團的化合物。