[發明專利]具有改進的內部外耦合的發光器件和提供該器件的方法

有效

• 申請號: 201380058571.4
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN104823296A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: G.F.加伊特納;G.H.里伊特詹斯;J.M.E.巴肯;J.特蛤特;H-P.洛伊布
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉鵬;景軍平

1.?一種發光器件，包括：

a）具有平坦表面（100）的玻璃襯底；

b）沉積在所述平坦表面上的高折射率層（11）；以及

c）具有沉積在所述高折射率層（11）上的透明電極層（10）的發光層結構（200）；

d）其中在高折射率層（11）的頂表面上提供凸起（14），所述凸起（14）由于所述玻璃襯底的所述平坦表面（100）上的層生長的局部擾動的原因而由所述光學厚層（11）的柱錐狀生長造成。

2.?依照權利要求1的器件，其中所述玻璃襯底的所述平坦表面（100）包括超細顆粒（12）。

3.?依照權利要求1的器件，其中所述平坦表面（100）包括所述玻璃襯底的表面化學成分的局部變化。

4.?依照權利要求3的器件，其中所述玻璃襯底的所述表面化學成分包括帶有具有不同氧化態的元素的材料，其通過提供局部更高的粘附系數以及因而所述高折射率層（11）的更強勁生長而修改初始生長抑制。

5.?依照權利要求1的器件，其中所述高折射率層（11）包括SiNx、SiOx、SiOxNy、AlOx或Al2O3:N。

6.?依照權利要求1的器件，其中所述透明電極層（10）包括氧化銦錫或者摻雜錫的氧化銦。

7.?依照權利要求1的器件，其中所述凸起（14）具有0.5-4μm范圍內的截面尺度。

8.?依照權利要求1的裝置，其中所述玻璃襯底包括浮法玻璃。

9.?一種制造發光器件的方法，所述方法包括：

a）對玻璃襯底預處理以便引起所述玻璃襯底平坦表面（100）上的層生長的局部擾動；

b）在所述平坦表面（100）上沉積高折射率層（11），使得由于所述局部擾動而引起的所述光學厚層（11）的柱錐狀生長在所述沉積的層（11）的頂表面上生成凸起（14）；以及

c）在所述高折射率層（11）的所述頂表面上沉積發光層結構（200）的透明電極層（10）。

10.?依照權利要求9的方法，進一步包括在所述平坦表面（100）上沉積超細顆粒（12）。

11.?依照權利要求10的方法，進一步包括將所述平坦表面（100）暴露于飽和蝕刻流體，并且移除所述蝕刻流體以便沉積所述超細顆粒（12）。

12.?依照權利要求11的方法，進一步包括通過蝕刻犧牲襯底而使蝕刻流體飽和。

13.?依照權利要求11的方法，進一步包括通過將種子顆粒引入到蝕刻溶液中而使蝕刻流體飽和。

14.?依照權利要求9的方法，進一步包括通過添加具有不同氧化態的材料并且因而通過局部更強勁的生長修改初始生長抑制而提供所述玻璃襯底的表面化學成分的局部變化。