[發明專利]光電器件在審
| 申請號: | 201380058561.0 | 申請日: | 2013-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN104813501A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 蒂爾曼·施倫克爾;安德魯·英格爾;馬克·菲利彭斯 | 申請(專利權)人: | 歐司朗OLED有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華;何月華 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 器件 | ||
1.一種光電器件(10),具有功能層堆疊體(6)、用于封裝所述層堆疊體的封裝層(7)、以及至少一個金屬層(8),其中,
-所述功能層堆疊體包括至少一個有機有源層(63),當所述器件處于運行時,所述至少一個有機有源層發出電磁輻射;
-當在投影到所述層堆疊體上的俯視圖中觀察時,所述封裝層完全覆蓋所述至少一個有機有源層;以及
-所述金屬層布置在所述封裝層的遠離所述層堆疊體的一側上。
2.根據前一項權利要求所述的器件,其中,
-所述封裝層(7)為薄膜封裝,其中,所述薄膜封裝的厚度小于或等于1μm;
-所述金屬層(8)的厚度至少為所述封裝層(7)的厚度的兩倍;
-所述金屬層覆蓋所述封裝層(7)的遠離所述層堆疊體(6)的外表面的至少75%。
3.根據前述權利要求中任一項所述的器件,其中,所述金屬層(8)的厚度(D)在0.5毫米與3毫米之間,0.5毫米與3毫米包含在內。
4.根據前述權利要求中任一項所述的器件,其中,所述金屬層(8)直接布置在所述封裝層(7)上。
5.根據前述權利要求中任一項所述的器件,包括承載主體(1),其中,
-所述功能層堆疊體(6)布置在所述承載主體上;以及
-所述承載主體在遠離所述層堆疊體的一側上包括所述器件的輻射出射面(11)。
6.根據前一項權利要求所述的器件,包括用于所述層堆疊體(6)的電接觸的第一電極(2)和第二電極(3),其中,所述層堆疊體至少部分地布置在所述第一電極與所述第二電極之間。
7.根據前一項權利要求所述的器件,其中,所述第一電極(2)包括第一接觸軌道(20),并且所述第二電極(3)包括第二接觸軌道(30),其中,所述第一接觸軌道和所述第二接觸軌道布置在所述器件的所述承載主體(1)上且在水平方向上彼此間隔開。
8.根據前一項權利要求所述的器件,其中,所述第一接觸軌道(20)和所述第二接觸軌道(30)直接布置在所述器件的所述承載主體(1)上,且當在投影到所述封裝層(7)上的俯視圖中觀察時,所述第一接觸軌道和所述第二接觸軌道與所述有機有源層(63)完全不重疊。
9.根據前一項權利要求所述的器件,其中,所述金屬層(8)包括第一子區域(8a)和第二子區域(8b),其中,所述第一子區域經由所述第一接觸軌道(20)與所述第一電極(2)電連接,且所述第二子區域經由所述第二接觸軌道(30)與所述第二電極(3)電連接。
10.根據前述權利要求中任一項所述的器件,其中,所述金屬層(8)與所述第一電極(2)電連接。
11.根據前述權利要求中任一項所述的器件,其中,所述金屬層(8)包括第一子區域(8a)和與所述第一子區域在水平方向上間隔開的第二子區域(8b),其中,
-所述金屬層的所述第一子區域與所述第一電極(2)電連接;以及
-所述金屬層的所述第二子區域與所述第二電極(3)電連接。
12.根據前一項權利要求所述的器件,其中,所述器件(10)具有表面安裝式構造且所述器件的電接觸經由所述第一子區域(8a)以及所述第二子區域(8b)在背面進行。
13.根據前述權利要求中任一項所述的器件,包括第一絕緣結構(4)和與所述第一絕緣結構在水平方向上間隔開的第二絕緣結構(5),其中,所述層堆疊體(6)在所述第一絕緣結構和所述第二絕緣結構之間延伸。
14.根據前述權利要求中任一項所述的器件,其中,所述金屬層(8)的厚度(D)至少為所述封裝層(7)的厚度(d)的兩倍。
15.根據前述權利要求中任一項所述的器件,其中,所述封裝層(7)為薄膜封裝,其中,所述薄膜封裝包含多個無機層(71)。
16.根據前一項權利要求所述的器件,其中,所述薄膜封裝的厚度(d)小于或等于1微米。
17.根據前述權利要求中任一項所述的器件,其中,在所述封裝層(7)的遠離所述有源層(63)的一側上,所述器件(10)不包含包括玻璃或由玻璃組成的主體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





